Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Bletskan D. I. 
Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I-S) on the electronic structure of 2H-Sn2 / D. I. Bletskan, V. V. Frolova // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 4. - С. 345-359. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_4_6
It was performed the systematic investigation of chemical modification regularities of electronic structure at the composition changes of "ideal" 2H-SnS2 crystal by using the self-consistent density functional theory method in the supercell model. It was analyzed the phases obtained during doping the sulfur sublattice by substitutional impurity <$Eroman {Y~symbol О~S}> (Y = Cl, I) as well as during changing tin disulfide structure due to the appearance of atomic vacancies in cation and anion sublattices (non-stoichiometry effects).
  Повний текст PDF - 4.725 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Bletskan D.
  • Frolova V.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Bletskan D. I. Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I-S) on the electronic structure of 2H-Sn2 / D. I. Bletskan, V. V. Frolova // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 4. - С. 345-359. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_4_6.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського