Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Syngaivska G. I. Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields / G. I. Syngaivska, V. V. Koroteev, V. A. Kochelap // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 4. - С. 325-335. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_4_4 Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Syngaivska G. I. Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields / G. I. Syngaivska, V. V. Koroteev, V. A. Kochelap // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 4. - С. 325-335. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_4_4.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |