Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Onyshchenko V. F. Effective lifetime of minority carriers in black silicon nano-textured by cones and pyramids / V. F. Onyshchenko, L. A. Karachevtseva, O. O. Lytvynenko, M. M. Plakhotnyuk, O. Y. Stronska // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 3. - С. 325-329. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_3_9 We calculated the dependence of effective lifetime of minority carriers in black silicon nano-textured by cones and pyramids on the diameter of the cone base, the side of the pyramid base, the height of cone and pyramid. The numerical calculation shows that n-type polished plate of single crystal silicon and n-type plate of black silicon have a high minority carrier lifetime both in the bulk and on the silicon surface, indicating a high purity of both the bulk of silicon and its surface. However, the measured experimentally effective lifetime of minority carriers in the n-type black silicon is 1,55 ms and is determined by the surface lifetime. The measured effective lifetime of minority charge carriers in the p-type polished silicon is 1,24 ms. The minority carrier lifetime in the bulk of the polished p-type silicon is lower than the surface one. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Onyshchenko V. F. Effective lifetime of minority carriers in black silicon nano-textured by cones and pyramids / V. F. Onyshchenko, L. A. Karachevtseva, O. O. Lytvynenko, M. M. Plakhotnyuk, O. Y. Stronska // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 3. - С. 325-329. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_3_9.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |