Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics


Ivashchyshyn F. O. 
The influence of the guest cavitations loading degree in fractal nanohybrids GaSe<β-cyclodextrin> on the current passing and polarization processes. The giant "battery spin” effect at room temperature / F. O. Ivashchyshyn, I. I. Grygorchak, O. I. Hryhorchak // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 3. - С. 375-381. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_3_18
The investigation results of clathrate properties GaSe<$Esymbol ...><$Ebeta>-cyclodextrin<$Esymbol ...>FeSO4<$Esymbol ъ><$Esymbol ъ> of the hierarchical architecture with the fourfold expansion at different degrees of a guest cavitations loading have been presented. Based on the frequency dependence of the specific complex impedance, the changes of the impurity energy spectrum expanded matrix parameters as a result of forming the supramolecular ensembles on its basis are clarified. For some architecture, impedance, photo and magneto responses showed the extraordinary behavior of the magnetoimpedance and photoconductivity and also the giant negative photodielectric and the colossal magnetocapacitance effects at room temperature, which open new possibilities of their practical application.
  Повний текст PDF - 322.797 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Ivashchyshyn F.
  • Grygorchak I.
  • Hryhorchak O.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Ivashchyshyn F. O. The influence of the guest cavitations loading degree in fractal nanohybrids GaSe<β-cyclodextrin> on the current passing and polarization processes. The giant "battery spin” effect at room temperature / F. O. Ivashchyshyn, I. I. Grygorchak, O. I. Hryhorchak // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 3. - С. 375-381. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_3_18.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського