New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures

Borblik, V. L.; Shwarts, Yu. M.; Shwarts, M. M.; Aleinikov, A. B.


	Наукова періодика України		Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Borblik V. L.
New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures / V. L. Borblik, Yu. M. Shwarts, M. M. Shwarts, A. B. Aleinikov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 2. - С. 195-198. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_2_10

The new experimental data concerning the effect of magnetic field on electric properties of silicon diodes with high doping levels both in the emitter and base (conduction of which at low temperatures is determined by the excess tunnel current) has been analyzed. In addition to previous investigations of the influence of magnetic fields up to 9,4 T on this tunnel current at 4,2 K, now the measurements have been carried out up to 14 T at temperatures lower than the liquid helium temperature. Under these conditions, the transfer to saturation of the diode magnetoresistance was observed, which agrees with the results predicted theoretically for the hopping conduction via impurity centers in high magnetic fields.

Повний текст PDF - 246.458 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Borblik V. L. New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures / V. L. Borblik, Yu. M. Shwarts, M. M. Shwarts, A. B. Aleinikov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 2. - С. 195-198. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_2_10.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Борблик Віталій Леонідович (фізико-математичні науки)

Шварц Юрій Михайлович (фізико-математичні науки)

Шварц Марина Михайлівна (фізико-математичні науки)

Алейніков Андрій Борисович (фізико-математичні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача