Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Sachenko A. V. Influence of non-radiative exciton recombination in silicon on photoconversion efficiency. 2. Short Shockley-Read-Hall lifetimes / A. V. Sachenko, V. P. Kostylyov, V. M. Vlasiuk, R. M. Korkishko, I. O. Sokolovskyi, V. V. Chernenko, M. A. Evstigneev // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 1. - С. 34-40. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_1_6 The influence of non-radiative exciton recombination (NRER) on the photoconversion efficiency in silicon solar cells with short Shockley - Read - Hall lifetimes <$Etau sub SRH> has been studied. It has been shown that the efficiency reduction due to this effect is the stronger the shorter <$Etau sub SRH>. The influence of NRER is most evident when the NRER time becomes shorter than <$Etau sub SRH>. At sufficiently short <$Etau sub SRH>, NRER substantially limits the optimal base doping levels of silicon solar cells, at which the photoconversion efficiency is maximal. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Sachenko A. V. Influence of non-radiative exciton recombination in silicon on photoconversion efficiency. 2. Short Shockley-Read-Hall lifetimes / A. V. Sachenko, V. P. Kostylyov, V. M. Vlasiuk, R. M. Korkishko, I. O. Sokolovskyi, V. V. Chernenko, M. A. Evstigneev // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 1. - С. 34-40. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_1_6.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |