Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Stariy S. V. Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb / S. V. Stariy, A. V. Sukach, V. V. Tetyorkin, V. O. Yukhymchuk, T. R. Stara // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 1. - С. 105-109. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_1_17 InSb wafers of n-type conductivity were annealed at 300, 370 and <$E400~symbol Р roman C> for 30 min in an open tube system under flowing argon ambient. The conductivity type conversion are revealed for the first time in samples with the electron concentration ~<$E1,0~cdot~10 sup 14 ~roman cm sup -3> for all annealing temperatures. Experimental evidences have been obtained that this phenomenon has a bulk character. In annealed samples the spectral response exhibits pronounced increase in the short-wave region. The effect of annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb has been explained by formation of In Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Stariy S. V. Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb / S. V. Stariy, A. V. Sukach, V. V. Tetyorkin, V. O. Yukhymchuk, T. R. Stara // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 1. - С. 105-109. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_1_17.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |