Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics


Vlaskina S. I. 
Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells / S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 3. - С. 273-278. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_3_7
Nanocrystalline silicon carbide (nc-SiC) films as protective coating and as solar cell material for a harsh environment, high temperatures, light intensities and radiation, were investigated, p- and n-types 100-mm silicon wafers with (100) orientation were used as substrates for SiC films deposition. The films were deposited using High-Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (HF-PECVD) with CH3SiCl3 gas as a silicon and carbon source. Hydrogen supplied CH3SiCl3 molecules in the field of HF discharge. Deposition was carried out on a cold substrate. The power density was 12,7 W/cm2. Deposition conditions were explored to prepare films with a controlled band gap and a low defect density. Formation of nc-3C-SiC films has been confirmed by the high resolution-transmission electron microscopy analysis, optical band gap values ETauc, conductivity, charge carrier activation energy and Hall measurements. The efficiency of photoconductivity was calculated for evaluating the photoconductivity properties and for the correlations with technology. For p-n junction creation in solar cell fabrication, the n-types nc-SiC films were doped with Al. Employing Al as a doping material of nc-n-SiC, the open-circuit voltage as high as 1,43 V has been achieved.
  Повний текст PDF - 556.895 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Vlaskina S.
  • Mishinova G.
  • Vlaskin V.
  • Rodionov V.
  • Svechnikov G.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Vlaskina S. I. Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells / S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 3. - С. 273-278. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_3_7.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського