Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Sukach A. V. Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods / A. V. Sukach, V. V. Tetyorkin, A. I. Tkachuk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 3. - С. 295-298. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_3_11 InSb p-n junctions were prepared by three diffusion methods, including isothermal, two-temperature and two-stage diffusion processes. The current-voltage characteristics were measured as a function of temperature and bias voltage. The highest values of the resistance-area product at zero bias have been obtained for the junctions prepared using the two-stage diffusion process. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Sukach A. V. Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods / A. V. Sukach, V. V. Tetyorkin, A. I. Tkachuk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 3. - С. 295-298. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_3_11.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |