Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods

Sukach, A. V.; Tetyorkin, V. V.; Tkachuk, A. I.


	Наукова періодика України		Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Sukach A. V.
Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods / A. V. Sukach, V. V. Tetyorkin, A. I. Tkachuk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 3. - С. 295-298. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_3_11

InSb p-n junctions were prepared by three diffusion methods, including isothermal, two-temperature and two-stage diffusion processes. The current-voltage characteristics were measured as a function of temperature and bias voltage. The highest values of the resistance-area product at zero bias have been obtained for the junctions prepared using the two-stage diffusion process.

Повний текст PDF - 132.751 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Sukach A.

Tetyorkin V.

Tkachuk A.

Бібліографічний опис для цитування:

Sukach A. V. Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods / A. V. Sukach, V. V. Tetyorkin, A. I. Tkachuk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 3. - С. 295-298. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_3_11.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)

Тетьоркін Володимир Володимирович (фізико-математичні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача