Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Naumov A. V. Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization / A. V. Naumov, O. F. Kolomys, A. S. Romanyuk, B. I. Tsykaniuk, V. V. Strelchuk, M. P. Trius, A. Yu. Avksentyev, A. E. Belyaev // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 4. - С. 396-402. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_4_6 The effect of self-heating on the transport characteristics and electronic properties of transistor AlGaN/GaN heterostructures was investigated. The electrical, micro-Raman and photoluminescence techniques were used for temperature estimations for transistor structures under electrical load. The thermal resistance of these structures has been calculated to obtain the temperature of conducting channel heating from the current-voltage characteristics. The differences in the obtained temperature data from applied techniques have been analyzed. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Naumov A. V. Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization / A. V. Naumov, O. F. Kolomys, A. S. Romanyuk, B. I. Tsykaniuk, V. V. Strelchuk, M. P. Trius, A. Yu. Avksentyev, A. E. Belyaev // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 4. - С. 396-402. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_4_6.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |