Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Vlaskina S. I. External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals / S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 4. - С. 448-451. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_4_15 Influence of plastic deformation and high-temperature annealing (<$ET~=~2100~symbol Р roman C>, t = 1 h) on SiC crystals with grown polytypic junctions demonstrating SF and DL spectra have been presented. SF-i and DL-i type luminescence are inherent to SiC crystals with distortions of the structure related with availability of packing defects that lead to onedimensional disordering (along the c-axis). They are a most expressed in doped crystals with original growth defects. DL luminescence appears in pure crystals at plastic deformation and in doped crystals at a hydrostatic pressure. It enhances at the high temperature annealing, too. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Vlaskina S. I. External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals / S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 4. - С. 448-451. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_4_15. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |