External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals

Vlaskina, S. I.; Mishinova, G. N.; Vlaskin, V. I.; Rodionov, V. E.; Svechnikov, G. S.

Vlaskina S. I.
External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals / S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 4. - С. 448-451. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_4_15

Influence of plastic deformation and high-temperature annealing (<$ET~=~2100~symbol Р roman C>, t = 1 h) on SiC crystals with grown polytypic junctions demonstrating SF and DL spectra have been presented. SF-i and DL-i type luminescence are inherent to SiC crystals with distortions of the structure related with availability of packing defects that lead to onedimensional disordering (along the c-axis). They are a most expressed in doped crystals with original growth defects. DL luminescence appears in pure crystals at plastic deformation and in doped crystals at a hydrostatic pressure. It enhances at the high temperature annealing, too.

Повний текст PDF - 374.788 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Vlaskina S. I. External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals / S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 4. - С. 448-451. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_4_15.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача


	Наукова періодика України		Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics