Effect of microwave treatment on current flow mechanism ohmic contacts to GaN

Sheremet, V. N.


	Наукова періодика України		Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Sheremet V. N.
Effect of microwave treatment on current flow mechanism ohmic contacts to GaN / V. N. Sheremet // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 3. - С. 280-284. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_3_10

Повний текст PDF - 1.442 Mb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Sheremet V.

Бібліографічний опис для цитування:

Sheremet V. N. Effect of microwave treatment on current flow mechanism ohmic contacts to GaN / V. N. Sheremet // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 3. - С. 280-284. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_3_10.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача