Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Belyaev A. E. Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si / A. E. Belyaev, V. A. Pilipenko, V. M. Anischik, T. V. Petlitskaya, A. V. Sachenko, V. P. Klad'ko, R. V. Konakova, N. S. Boltovets, T. V. Korostinskaya, L. M. Kapitanchuk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 2. - С. 99-110. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_2_3 We present experimental results concerning a high density of structural defects (in particular, dislocations) in the near-contact region of heavily doped n Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Belyaev A. E. Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si / A. E. Belyaev, V. A. Pilipenko, V. M. Anischik, T. V. Petlitskaya, A. V. Sachenko, V. P. Klad'ko, R. V. Konakova, N. S. Boltovets, T. V. Korostinskaya, L. M. Kapitanchuk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 2. - С. 99-110. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_2_3.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |