Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Baranskii P. I. Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity / P. I. Baranskii, G. P. Gaidar // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 3. - С. 218-222. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_3_8 Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Baranskii P. I. Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity / P. I. Baranskii, G. P. Gaidar // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 3. - С. 218-222. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_3_8. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |