Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics


Gomeniuk Y. V. 
Current transport mechanisms in metal - high-k dielectric - silicon structures / Y. V. Gomeniuk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 2. - С. 139-146. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_2_7
The mechanism of current transport in several high - k-dielectric, including rare earth metal oxides (Gd2O3, Nd2O3), ternary compounds (LaLuO3) and rare earth metal silicate (LaSiOx) thin films on silicon was studied using current-voltage (I - V) and conductance-frequency (G - omega) measurements at temperatures 100 - 300 K. It was shown that the current through the dielectric layer is controlled either by Pool-Frenkel mechanism of trap-assisted tunneling or by Mott's variable range hopping conductance through the localized states near the Fermi level. From the results of measurements, the dynamic dielectric constant k of the material, energy positions and bulk concentrations of traps inside the dielectric layers were determined.
  Повний текст PDF - 2.105 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Gomeniuk Y.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Gomeniuk Y. V. Current transport mechanisms in metal - high-k dielectric - silicon structures / Y. V. Gomeniuk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 2. - С. 139-146. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_2_7.

    Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
    (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  • Гоменюк Юрій Вікторович (фізико-математичні науки)
  •   Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського