Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Amer H. H. 
Characterization of quaternary chalcogenide As-Ge-Te-Si thin films / H. H. Amer, M. Elkordy, M. Zien, A. Dahshan, R. A. Elshamy // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 3. - С. 302-307. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_3_9
Investigated in this paper is the effect of replacement of Te by Si on the optical gap and some other physical operation parameters of quaternary chalcogenide As30Ge10Te60-xSix (where x = 0, 5, 10, 12 and 20 at. %) thin films. Thin films with the thickness 100 - 200 nm of As30Ge10Te60-xSix were prepared using thermal evaporation of bulk samples. Increasing Si content was found to affect the average heat of atomization, average coordination number, number of constraints and cohesive energy of the As30Ge10Te60-xSix alloys. Optical absorption is due to allowed non-direct transition, and the energy gap increases with increasing Si content. The chemical bond approach has been applied successfully to interpret the increase in the optical gap with increasing silicon content.
  Повний текст PDF - 338.291 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Amer H.
  • Elkordy M.
  • Zien M.
  • Dahshan A.
  • Elshamy R.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Amer H. H. Characterization of quaternary chalcogenide As-Ge-Te-Si thin films / H. H. Amer, M. Elkordy, M. Zien, A. Dahshan, R. A. Elshamy // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 3. - С. 302-307. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_3_9.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського