Taghiyev T. B.
Photoconductivity and photoluminescence features of y-irradiated GaS0. 75Se0. 25 single crystals / T. B. Taghiyev // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 3. - С. 362-364. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_3_20
The effect of <$E gamma>-radiation with E = 1,3 MeV energy and <$E D sub gamma> = 10 - 200 krad dose on photoconductivity and photoluminescence features of <$E roman {GaS sub 0,75 Se sub 0,25 ~symbol ...~Er~symbol ъ}> single crystals was studied. When analyzing the experimental data it was established that after doping with the rare-earth element erbium <$E N~=~10 sup 18~roman cm sup -3> and <$E gamma>-radiation the photoconductivity value and the intensity of photoluminescence radiation increased in the investigated samples. A defect-formation model explaining the observed characteristics was proposed.
Цитованість авторів публікації:Taghiyev T.
Бібліографічний опис для цитування: Taghiyev T. B. Photoconductivity and photoluminescence features of y-irradiated GaS0. 75Se0. 25 single crystals / T. B. Taghiyev // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 3. - С. 362-364. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_3_20.
 Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
