Effect of magnetic field on the reconstruction of the defect-impurity state and сathodoluminescence in Si/SiO2 structure

Steblenko, L. P.; Koplak, O. V.; Syvorotka, I. I.; Kravchenko, V. S.


	Наукова періодика України		Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Steblenko L. P.
Effect of magnetic field on the reconstruction of the defect-impurity state and сathodoluminescence in Si/SiO2 structure / L. P. Steblenko, O. V. Koplak, I. I. Syvorotka, V. S. Kravchenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 3. - С. 334-338. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_3_15

Impurity states in Si/SiO2 structure have been studied using cathodoluminescence (CL). It has been found that intrinsic structure defects in Si/SiO2 are sensitive to the action of magnetic field, which can be revealed due to changes in Si/SiO2 optical properties. The most sensitive to magnetic field (about 35 per cent) is the intensity of the 1,9 eV CL band attributed to non-bridge oxygen atoms.

Повний текст PDF - 207.909 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Steblenko L. P. Effect of magnetic field on the reconstruction of the defect-impurity state and сathodoluminescence in Si/SiO2 structure / L. P. Steblenko, O. V. Koplak, I. I. Syvorotka, V. S. Kravchenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 3. - С. 334-338. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_3_15.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача