Optimal solution in producing 32nm CMOS technology transistor with desired leakage current

lgomati, H. A.; Ahmad, I.; Salehuddin, F.; Hamid, F. A.; Zaharim, A.; Majlis, B. Y.; Apte, P. R.


	Наукова періодика України		Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

lgomati H. A.
Optimal solution in producing 32nm CMOS technology transistor with desired leakage current / H. A. lgomati, I. Ahmad, F. Salehuddin, F. A. Hamid, A. Zaharim, B. Y. Majlis, P. R. Apte // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 2. - С. 145-151. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_2_4

Повний текст PDF - 305.603 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

lgomati H. A. Optimal solution in producing 32nm CMOS technology transistor with desired leakage current / H. A. lgomati, I. Ahmad, F. Salehuddin, F. A. Hamid, A. Zaharim, B. Y. Majlis, P. R. Apte // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 2. - С. 145-151. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_2_4.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача