Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
lgomati H. A. Optimal solution in producing 32nm CMOS technology transistor with desired leakage current / H. A. lgomati, I. Ahmad, F. Salehuddin, F. A. Hamid, A. Zaharim, B. Y. Majlis, P. R. Apte // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 2. - С. 145-151. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_2_4 Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: lgomati H. A. Optimal solution in producing 32nm CMOS technology transistor with desired leakage current / H. A. lgomati, I. Ahmad, F. Salehuddin, F. A. Hamid, A. Zaharim, B. Y. Majlis, P. R. Apte // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 2. - С. 145-151. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_2_4. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |