Dynamic properties and avalanche noise analysis of 4H-SiC over wz-GaN based IMPATTs at mm-wave window frequency

Tripathy, P. R.; Mukherjee, M.; Pati, S. P.


	Наукова періодика України		Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Tripathy P. R.
Dynamic properties and avalanche noise analysis of 4H-SiC over wz-GaN based IMPATTs at mm-wave window frequency / P. R. Tripathy, M. Mukherjee, S. P. Pati // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 2. - С. 137-144. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_2_3

Повний текст PDF - 288.124 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Tripathy P.

Mukherjee M.

Pati S.

Бібліографічний опис для цитування:

Tripathy P. R. Dynamic properties and avalanche noise analysis of 4H-SiC over wz-GaN based IMPATTs at mm-wave window frequency / P. R. Tripathy, M. Mukherjee, S. P. Pati // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 2. - С. 137-144. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_2_3.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача