We studied the effect of uniform compression on characteristics of Au - n-Si Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor. It is shown that overcompensation is caused by formation of structural defects owing to thermal treatment of the initial silicon wafers.We investigated the effect of hydrostatic pressure on relaxation characteristics of the three-layer <$E roman {Al~-~n-Si symbol ... Ni symbol ъ~SiO sub 2~-~Al}> structures. It was found that 20 min exposure to a pressure of 8 kbars results in reduction of the integral density of surface states, while exerting no influence on the generation centers in the bulk.

  Повний текст PDF - 153.66 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"