Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Molodkin V. B. Double- and triple-crystal X-ray diffractometry of microdefects in silicon / V. B. Molodkin, S. I. Olikhovskii, Ye. M. Kyslovskyy, E. G. Len, O. V. Reshetnyk, T. P. Vladimirova, V. V. Lizunov, S. V. Lizunova // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 4. - С. 353-356. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_4_6 The generalized dynamical theory of X-ray scattering by real single crystals allows to self-consistently describe intensities of coherent and diffuse scattering measured by double- and triple-crystal diffractometers (DCD and TCD) from single crystals with defects in crystal bulk and with strained subsurface layers. Being based on this theory, we offer the combined DCD + TCD method that exhibits the higher sensitivity to defect structures with wide size distributions as compared with any of these methods alone. In the investigated Czochralski-grown silicon crystals, the sizes and concentrations of small oxygen precipitates as well as small and large dislocation loops have been determined using this method. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Molodkin V. B. Double- and triple-crystal X-ray diffractometry of microdefects in silicon / V. B. Molodkin, S. I. Olikhovskii, Ye. M. Kyslovskyy, E. G. Len, O. V. Reshetnyk, T. P. Vladimirova, V. V. Lizunov, S. V. Lizunova // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 4. - С. 353-356. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_4_6.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |