Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Mumimov R. A. 
Relaxation process features of photoconductivity in p-i-n structures / R. A. Mumimov, Sh. K. Kanyazov, A. K. Saymbetov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 3. - С. 259-261. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_3_7
We studied the relaxation processes of photoconductivity in Si(Li) p-i-n structures. It has been shown that a clearly pronounced "well" is observed in time dependences of the photovoltage pulse after photoexcitation of these structures. Our experimental data are indicative of abnormal relaxation of photoconductivity in silicon p-i-n diodes.
  Повний текст PDF - 210.926 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Mumimov R.
  • Kanyazov S.
  • Saymbetov A.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Mumimov R. A. Relaxation process features of photoconductivity in p-i-n structures / R. A. Mumimov, Sh. K. Kanyazov, A. K. Saymbetov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 3. - С. 259-261. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_3_7.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського