Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films

Tolmachov, I. D.; Stronski, A. V.; Vlcek, M.


	Наукова періодика України		Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Tolmachov I. D.
Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films / I. D. Tolmachov, A. V. Stronski, M. Vlcek // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 3. - С. 276-279. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_3_11

Thin chalcogenide films with compositions As10Ge22,5Se67,5 and As12Ge33Se55 have been investigated. Optical constants and thicknesses of these films were obtained from transmission spectra. Structure of initial bulk glasses and films were investigated by Raman spectroscopy. Both films are estimated to have high values of the nonlinear refractive index.

Повний текст PDF - 214.967 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Tolmachov I.

Stronski A.

Vlcek M.

Бібліографічний опис для цитування:

Tolmachov I. D. Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films / I. D. Tolmachov, A. V. Stronski, M. Vlcek // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 3. - С. 276-279. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_3_11.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача