Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics

Osinsky V. 
Crystal lattice engineering the novel substrates for III-nitride-oxide heterostructures / V. Osinsky, O. Dyachenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 2. - С. 142-144. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_2_7
In this work, we firstly investigated controlling the lattice parameter of III-oxides used as substrates for III-nitrides heterostructures. It was shown that the atomic content change in III-sublattice gives large possibilities for precise cation controlling the lattice parameters. The developed technique is promising to make ideal substrates in III-nitride epitaxy of LED, LD and transistors with a high quantum efficiency and small noise. This technology can be realized using MBE, MOSVD or CVD chloride-hydride epitaxy with computer driving.
  Повний текст PDF - 206.562 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Osinsky V.
  • Dyachenko O.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Osinsky V. Crystal lattice engineering the novel substrates for III-nitride-oxide heterostructures / V. Osinsky, O. Dyachenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 2. - С. 142-144. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_2_7.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського