Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Timofeyev V. I. Model of heterotransistor with quantum dots / V. I. Timofeyev, E. M. Faleyeva // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 2. - С. 186-188. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_2_18 Heterostructure transistors with quantum dots (QD) are now very perspective devices because of their higher velocities of electrons in the channel. Simulation results for concentration and carrier velocity distributions depending on the QD size, concentration and location were presented in this paper. It is shown that presence of QD in the channel causes a significant increase of current. Also, QD location and concentration influence to the output characteristics of transistor was established. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Timofeyev V. I. Model of heterotransistor with quantum dots / V. I. Timofeyev, E. M. Faleyeva // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 2. - С. 186-188. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_2_18. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |