Наукова періодика України Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics


Dmitruk N. L. 
Effect of chemical modification of thin C60 fullerene films on the fundamental absorption edge / N. L. Dmitruk, O. Yu. Borkovskaya, T. S. Havrylenko, D. O. Naumenko, P. Petrik, V. Meza-Laguna, E. V. Basiuk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 2. - С. 180-185. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_2_17
Fullerene C60 films were grown using physical vapor deposition on Si substrates at room temperature. Then chemical modification with cross-linking these films was performed using the reaction with 1,8-octanediamine (DA) or octane-1,8-dithiol (DT). These chemically cross-linked C60 films are capable of stable binding the Ag or Au nanoclusters. Optical properties of the obtained nanostructured hybrid films were investigated by both reflectance spectroscopy and spectral ellipsometry within the spectral range 1,55 to 5,0 eV at various angles of incidence. From the spectral dependences of the extinction coefficient in the region of optical absorption edge, the physical nature of the fundamental allowed direct band-gap transitions between HOMO-LUMO states <$E E sub g>, the optical absorption edge near the intrinsic transition <$E E sub o>, and exponential tail of the density-of-states caused by defects have been determined. Influence of chemical modification and decoration of metal nanoparticles on the above mentioned parameters has been analyzed.
  Повний текст PDF - 355.191 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Dmitruk N.
  • Borkovskaya O.
  • Havrylenko T.
  • Naumenko D.
  • Petrik P.
  • Meza-Laguna V.
  • Basiuk E.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Dmitruk N. L. Effect of chemical modification of thin C60 fullerene films on the fundamental absorption edge / N. L. Dmitruk, O. Yu. Borkovskaya, T. S. Havrylenko, D. O. Naumenko, P. Petrik, V. Meza-Laguna, E. V. Basiuk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 2. - С. 180-185. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_2_17.

    Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
    (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  • Науменко Денис Олександрович (фізико-математичні науки)
  •   Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського