Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Hontaruk O. Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals / O. Hontaruk, O. Konoreva, P. Litovchenko, V. Manzhara, V. Opilat, M. Pinkovska, V. Tartachnyk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 1. - С. 30-35. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_1_8 Photoluminescence of GaP crystals irradiated by 1 MeV electrons was studied at 4,2 K. Samples were prepared using various technologies and doped by Te, Zn, Mg and N. Emission spectra were analyzed as dependent on the impurity content. Found was the electron irradiation influence on the luminescence intensity and its mechanism. Radiative recombination intensity was shown to recover efficiently within the temperature range 200 - 600 <$E symbol Р>C, and the main annealing stage being at 200 - 400 <$E symbol Р>C. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Hontaruk O. Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals / O. Hontaruk, O. Konoreva, P. Litovchenko, V. Manzhara, V. Opilat, M. Pinkovska, V. Tartachnyk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 1. - С. 30-35. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_1_8.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |