Наукова періодика України | Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics | ||
Savchenko D. V. Intrinsic defects in nonstoichiometric b-SiC nanoparticles studied by pulsed magnetic resonance methods / D. V. Savchenko, A. Poppl, E. N. Kalabukhova, E. F. Venger, M. P. Gadzira, G. G. Gnesin // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 1. - С. 43-50. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_1_10 Nonstoichiometric <$E beta>-SiC nanoparticles (np-SiC) have been studied by electron paramagnetic resonance (EPR) and pulsed magnetic resonance methods including field swept electron spin echo (FS ESE), pulsed electron nuclear double resonance (ENDOR) and hyperfine sublevel correlation spectroscopy (HYSCORE). Four ESE signals related to the paramagnetic centers labeled D1, D2, D3, D4 with g = 2,0043, g = 2,0029, g = 2,0031, g = 2,0037 were resolved in FS ESE spectrum due to their different spin relaxation times. As deduced from the study of the superhyperfine structure of the D2 defect by FS ESE, pulse ENDOR and HYSCORE methods the dominant paramagnetic center is a carbon vacancy (V Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Savchenko D. V. Intrinsic defects in nonstoichiometric b-SiC nanoparticles studied by pulsed magnetic resonance methods / D. V. Savchenko, A. Poppl, E. N. Kalabukhova, E. F. Venger, M. P. Gadzira, G. G. Gnesin // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 1. - С. 43-50. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_1_10.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |