Избыточный квазичастичный ток в джозефсоновских гетероструктурах сверхпроводник—допированный полупроводник—сверхпроводник MoRe—Si (W)—MoRe

Шатерник, В. Е.; Белоголовский, М. А.; Шаповалов, А. П.; Суворов, А. Ю.

Исследованы вольтамперные характеристики гетеропереходов вида MoRe - Si(W) - MoRe; при этом толщина и концентрация допанта полупроводникового барьера Si(W) изготовленных гетероструктур изменялись в широком диапазоне значений. Установлено, что при относительно высоких концентрациях (5 - 9 ат. %) вольфрама в кремниевом барьере наблюдается резонансный туннельный эффект через локализованные уровни вольфрамовых кластеров. Одновременно при определенных условиях в таких переходах появляется сверхпроводящий ток Джозефсона, обусловленный многократными андреевскими отражениями боголюбовских квазичастиц (квазиэлектронов и квазидырок). Экспериментально наблюдаемый большой избыточный ток квазичастиц через переходы свидетельствует о существенном по величине вкладе в транспорт заряда от андреевских отражений на двух S/N-интерфейсах исследуемых джозефсоновских гетероструктур.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"


	Наукова періодика України		Металлофизика и новейшие технологии