Изучен эффект близости в сэндвичах MoRe/Al с различными критическими температурами <$ET sub roman c> пленок MoRe. Сделана оценка параметров эффекта близости <$Egamma ,~gamma sub BN ,~gamma sub m> и <$Egamma sub B>. На вольтамперных характеристиках туннельных контактов MoRe/Al - I - Pb наблюдались особенности, связанные с неустойчивостью неравновесного сверхпроводящего состояния в результате туннельной инжекции квазичастиц в сэндвич MoRe/Al. Выполнена оценка параметра туннельной инжекции <$Ealpha sub v> и изучено его влияние на возникновение неустойчивости. Для сравнения полученных результатов изготовлены туннельные контакты MoRe - I - Pb и изучены их вольтамперные характеристики.