Виконано систематичну оцінку рівноважних і кінетичних параметрів релаксації "магніточутливих" домішок у монокристалічному кремнії на основі мікроскопічної моделі релаксації конфігураційного близького атомного порядку та часової залежності зміни мікротвердості. За впливів сталого та низькочастотного модульованого магнітних полів і надвисокочастотного електромагнітного поля виявлено аномально велику зміну відносної мікротвердості кремнію n- і p-типів провідності, що зумовлено перерозподілом "магніточутливих" домішок у матриці Si. Часова релаксація мікротвердості за умов низькотемпературного відпалу (298 та 373 К) добре описується одноекспоненційною залежністю (релаксаційна модель I порядку), що вказує на домінантну роль "повільної" компоненти твердого розчину в процесі структурно-часової еволюції дефектного кристала. Одержані значення енергії активації та Фур'є-компоненти частот атомних стрибків за мікродифузії свідчать про найбільш ймовірний міжвузловий механізм низькотемпературної міграції атомів домішок у разі дії зовнішніх магнітного й електромагнітного полів.