Запропоновано квазіхімічні реакції утворення точкових дефектів та їх комплексів у монокристалах телуриду кадмію, легованого германієм. Одержано баричні та температурні залежності концентрацій переважаючих точкових дефектів і вільних носіїв заряду в CdTe:Ge. Визначено константи рівноваги квазіхімічних реакцій утворення комплексів <$E roman {(Ge sub Cd sup + V sub Cd sup 2- ) sup -}> і переходу германію з катіонної підгратки в аніонну основної матриці. Результати дослідження пояснено обмеженою розчинністю домішки за умови високотемпературної рівноваги точкових дефектів. Теоретично розраховано розчинність Ge у CdTe залежно від температури та парціального тиску пари кадмію.

  Повний текст PDF - 256.173 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"