За допомогою методів квазіхімічного та кристалоквазіхімічного формалізмів, що враховують дво- <$E roman {V sub Sn sup 2-~(V sub Ge sup 2- )}> і чотиризарядні <$E roman {V sub Sn sup 4-~(V sub Ge sup 4- )}> вакансії металу, визначено залежності концентрації точкових дефектів і холлівської концентрації носіїв заряду від парціального тиску пари телуру <$E roman P sub Te sub 2> у разі двотемпературного відпалу, величини відхилення від стехіометричного складу SnTe (GeTe) і ступеня диспропорціювання зарядового стану вакансій металу. Встановлено, що якщо за низьких значень <$E roman P sub Te sub 2> і незначних відхилень від стехіометрії домінують <$E roman {V sub Sn sup 4-~(V sub Ge sup 4- )}>, то у разі їх зростання збільшується концентрація <$E roman {V sub Sn sup 2-~(V sub Ge sup 2- )}>.

  Повний текст PDF - 1.054 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"