Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (1) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>AT=Kurochka Features of Ion-Electronic Emission$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
| 1. | 
Kurochka A. Features of Ion-Electronic Emission from Surface of Semiconductors [Електронний ресурс] / A. Kurochka, A. Sergienko, S. Kurochka, V. Kolybelkin, S. G. Emelyanov, E. V. Yakushko, L. M. Chervjakov // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2013. - Vol. 5, № 4(1). - С. 04036-1-04036-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2013_5_4(1)__38 The results of the research value of the current of the secondary electrons in the ion-beam etching of various semiconductors. Shows the setup and electrical circuit of the experiment. An experimental study to determine the dependence of the current of the secondary electrons from the band gap Eg and the height of the potential barrier (electron affinity) echi. It is shown that in the conditions of ion-beam etching of the semiconductor is the penetration of the electric field, which leads to a shift of the energy levels of electrons in the surface layer. Found that the ion-electronic signal emission silicon n-type is higher than the p-type silicon. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |