Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>AT=Лашкарев Физика высокопроводящих прозрачных материалов$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.

Лашкарев Г. В. 
Физика высокопроводящих прозрачных материалов на основе широкозонного оксида цинка [Електронний ресурс] / Г. В. Лашкарев, В. А. Карпина, Л. И. Овсянникова, В. В. Картузов, Н. В. Дранчук, М. Годлевский, Р. Петрушка, В. B. Хомяк, Л. И. Петросян // Физика низких температур. - 2017. - Т. 43, № 4. - С. 643-648. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2017_43_4_18
Рассмотрены свойства прозрачных проводящих материалов на основе широкозонного полупроводника оксида цинка, перспективного для применений в фотовольтаике и жидкокристаллических дисплеях. Изучено влияние алюминия на проводимость тонких пленок ZnO, осажденных методом атомно-слоевого роста. Проведены температурные исследования концентрации, подвижности и удельного электросопротивления в диапазоне температур 77 - 300 K, которые свидетельствуют о металлической проводимости сильно легированных пленок. Электроактивность алюминия как донорной примеси в решетке ZnO изучена для тонких пленок, выращенных методом атомного послойного осаждения на стекло и кремний и содержащих 1 - 7 ат. % алюминия. Обсуждены причины низкой электроактивности Al в ZnO и предложены пути ее повышения.
Попередній перегляд:   Завантажити - 856.21 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського