Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>AT=Вакуленко Глибокі рівні прилипання у$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
1. |
Вакуленко О. В. Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками [Електронний ресурс] / О. В. Вакуленко, С. Л. Головинський, С. В. Кондратенко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2011. - Т. 9, Вип. 2. - С. 343-353. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nano_2011_9_2_10 В гетероструктурах In0,4Ga0,6As/GaAs с цепочками квантовых точек исследованы свойства латерального фототока, вызванного оптической перезарядкой центров электронной локализации. В кинетике фототока структур выявлены долговременная динамика нарастания и релаксации, а также эффект остаточной проводимости после выключения возбуждающего излучения. Установлено присутствие глубоких центров прилипания для электронов, которые в значительной степени влияют на транспорт носителей заряда и на процессы рекомбинации. Температурными исследованиями обнаружен эффект термостимулированной проводимости в гетероструктуре. Из анализа формы кривой термостимулированного тока получено значение глубины залегания уровня прилипания относительно зоны проводимости - 0,17 эВ.
|
|
|