Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Vasyltsiv V$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
|
1. |
Luchechko A. Thermally Stimulated Luminescence and Conductivity of β-Ga2O3 Crystals [Електронний ресурс] / A. Luchechko, V. Vasyltsiv, L. Kostyk, O. Tsvetkova, B. Pavlyk // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 3. - С. 03035-1-03035-7. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_3_37 Розглянуто термостимульовану люмінесценцію (ТСЛ) та термостимульовану провідність (ТСП) нелегованих монокристалів <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O sub 3 }>. Досліджувані зразки являли собою монокристали <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O sub 3 }>, вирощені за допомогою методу оптичної зони плавки, які потім піддавали відпалу в атмосфері кисню або аргону. Одержані спектри фотолюмінесценції є типовими для монокристалів <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O sub 3 }>: вони містять широку смугу випромінювання матриці за 320 - 550 нм, а також слабку люмінесценцію з максимумом за 700 нм, приписану ненавмисно введеній домішці Cr<^>3+. Після опромінення X-променями зразки демонструють інтенсивну ТСЛ в діапазоні температур 85 - 500 К. На кривих ТСЛ і ТСП цих кристалів наявні 3 низькотемпературні піки за 116, 147 і 165 К. Глибини пасток, що відповідають за ці піки, становлять 0,15, 0,2 і 0,3 еВ, відповідно. Високотемпературні піки ТСЛ за 354, 385 і 430 К з відповідними енергіями активації 0,84, 1,0 і 1,1 еВ спостерігаються у зразках, відпалених в атмосферах кисню або аргону. Криві ТСП добре узгоджуються з результатами дослідження ТСЛ. Встановлено кореляцію між відпалом кристалів в окиснювальній та інертній атмосферах і власними дефектами в монокристалах <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O sub 3 }>.
| 2. |
Vasyltsiv V. Microdefects and Electrical Properties of β-Ga2O3 and β-Ga2O3:Mg Crystals Grown by Floating Zone Technique [Електронний ресурс] / V. Vasyltsiv, L. Kostyk, O. Tsvetkova, M. Kushlyk, D. Slobodzyan, R. Diduk, B. Pavlyk, A. Luchechko // Journal of nano- and electronic physics. - 2022. - Vol. 14, no. 5. - С. 05005-1-05005-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2022_14_5_7 Досліджено мікродефекти в монокристалах <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O} sub 3> і <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O} sub 3> : 0,1 % Mg, вирощених за методом оптичної зонної плавки з радіаційним нагріванням. На поверхні (100) та в об'ємі нелегованих кристалів <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O} sub 3> виявлено пористі дефекти трубоподібної форми. Такі дефекти мають діаметр до 1 мкм і довжину до 100 мкм, витягнуті по осі [010]. Легування оксиду галію іонами магнію призводить до зменшення концентрації дефектів та зміни їх форми. Розраховано концентрацію та рухливість носіїв електричного заряду в нелегованих у <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O} sub 3> кристалах. Оцінено енергії активації провідності досліджуваних кристалів. Виявлено та обговорено певні кореляції між умовами вирощування кристалів, легуванням і швидкістю випаровування Ga2O3 з розплаву та густиною дефектів, що надає аспекти подальшого розвитку матеріалу. Також проаналізовано механізми утворення цих дефектів.
|
|
|