Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Parkhomenko H$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
1.

Solovan M. M. 
Influence of the NaCl Dielectric Layer on the Electrical Properties of Graphite/n-Cd1 – xZnxTe Schottky Diodes Fabricated by Transferring a Drawn Graphite [Електронний ресурс] / M. M. Solovan, H. P. Parkhomenko, V. V. Brus, A. I. Mostovyi, P. D. Maryanchuk // Journal of nano- and electronic physics. - 2021. - Vol. 13, no. 4. - С. 04008-1-04008-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2021_13_4_10
Представлено результати дослідження електричних властивостей діодів Шотткі графіт/n-Cd1 - xZnxTe, одержаних шляхом перенесення сухих графітових плівок на підкладки Cd1 - xZnxTe. Твердий розчин Cd1 - xZnxTe з низьким вмістом Zn був вирощений за допомогою методу Бріджмена за низького тиску парів кадмію і мав низький опір <$Erho~symbol Ы~10 sup 2> Ом-см. Значення послідовного Rs та шунтуючого Rsh опорів для діодів Шотткі графіт/n-Cd1 - xZnxTe та графіт/NаCl/n-Cd1 - xZnxTe визначали із залежності їх диференціального опору Rdif. Висота потенціального бар'єру для діодів Шотткі графіт/n-Cd1 - xZnxTe та графіт/NаCl/n-Cd1 - xZnxTe визначалася шляхом екстраполяції лінійних ділянок ВАХ до перетину з віссю напруги і становила 0,63 еВ та 1,12 еВ відповідно. Велике значення висоти потенціального бар'єру для зразка графіт/NаCl/n-Cd1 - xZnxTe визначалася шляхом екстраполяції лінійних ділянок ВАХ до перетину з віссю напруги і становила 0,63 еВ та 1,12 еВ відповідно. Велике значення висоти потенціального бар'єру для зразка графіт/NаCl/n-Cd1 - xZnxTe зумовлено наявністю діелектричного шару NaCl. Домінуючі механізми струмопереносу через діоди Шотткі графіт/n-Cd1 - xZnxTe та графіт/NаCl/n-Cd1 - xZnxTe добре описуються в межах генераційно-рекомбінаційної та тунельної моделей (для прямого та зворотного зміщення відповідно).
Попередній перегляд:   Завантажити - 556.656 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Orlets’kyi I. G. 
Electrical properties and energy parameters of photosensitive n-Mn2O3/n-CdZnTe heterostructures [Електронний ресурс] / I. G. Orlets’kyi, M. I. Ilashchuk, E. V. Maistruk, H. P. Parkhomenko, P. D. Maryanchuk // Ukrainian journal of physics. - 2021. - Vol. 66, № 9. - С. 792-802. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2021_66_9_9
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.05 Mb    Зміст випуску     Цитування
3.

Parkhomenko H. P. 
Electrical and Photoelectric Properties of Organic-Inorganic Heterojunctions PEDOT:PSS/n-CdTe [Електронний ресурс] / H. P. Parkhomenko, M. M. Solovan, A. I. Mostovyi, I. G. Orletskyi, V. V. Brus // East european journal of physics. - 2021. - No 4. - С. 43-48. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eejph_2021_4_6
Попередній перегляд:   Завантажити - 601.779 Kb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського