Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (1)Реферативна база даних (6)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Naumov A$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
1.

Sachenko A. V. 
Resistance formation mechanisms for contacts and to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density [Електронний ресурс] / A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, Yu. V. Zhilyaev, L. M. Kapitanchuk, V. P. Klad'ko, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Kuchuk, A. V. Naumov, V. V. Panteleev, V. N. Sheremet // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 4. - С. 351-357. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_4_11
We studied temperature dependences of the resistivity, <$E rho sub c (T)>, of Pd-Ti-Pd-Au ohmic contacts to wide-gap semiconductors n-GaN and n-AlN with a high dislocation density. Both <$E rho sub c (T)> curves have portions of exponential decrease, as well as those with very slight <$E rho sub c (T)> dependence at higher temperatures. Besides, the Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN contacts have a portion of <$E rho sub c (T)> flattening out in the low-temperature region. This portion appears only after rapid thermal annealing (RTA). In principle, its appearance may be caused by preliminary heavy doping of the near-contact region with a shallow donor impurity as well as doping in the course of contact formation owing to RTA, if the contact-forming layer involves a material atoms of which serve as shallow donors in III - N compounds. The obtained <$E rho sub c (T)> dependences cannot be explained by the existing mechanisms of current transfer. We propose other mechanisms explaining the experimental <$E rho sub c (T)> curves for ohmic contacts to n-GaN and n-AlN.
Попередній перегляд:   Завантажити - 2.659 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Naumov A. B. 
The impact of social policy on the development of innovative medical insurance in Ukraine [Електронний ресурс] / A. B. Naumov, T. P. Panyuk, L. I. Danylchenko // Науковий вісник Полісся. - 2017. - № 1(1). - С. 55-62. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/nvp_2017_1(1)__9
Досліджено теоретичні підходи та практичні особливості впливу соціальної політики на розвиток медичного страхування в Україні. Проведено аналіз показників основних видів добровільного медичного страхування, виявлено основні проблеми інноваційного розвитку медичного страхування в Україні. Наведено функціональні ознаки та характеристики альтернативних моделей функціонування системи охорони здоров'я.
Попередній перегляд:   Завантажити - 364.569 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Naumov A. V. 
Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization [Електронний ресурс] / A. V. Naumov, O. F. Kolomys, A. S. Romanyuk, B. I. Tsykaniuk, V. V. Strelchuk, M. P. Trius, A. Yu. Avksentyev, A. E. Belyaev // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 4. - С. 396-402. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_4_6
The effect of self-heating on the transport characteristics and electronic properties of transistor AlGaN/GaN heterostructures was investigated. The electrical, micro-Raman and photoluminescence techniques were used for temperature estimations for transistor structures under electrical load. The thermal resistance of these structures has been calculated to obtain the temperature of conducting channel heating from the current-voltage characteristics. The differences in the obtained temperature data from applied techniques have been analyzed.
Попередній перегляд:   Завантажити - 395.368 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Naumov A. B. 
The strategic directions of improving the institutional development of the market for social investments [Електронний ресурс] / A. B. Naumov, M. Ju. Shcherbata, K. O. Basenko // Науковий вісник Полісся. - 2017. - № 2(1). - С. 18-23. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/nvp_2017_2(1)__5
Досліджено теоретичні підходи та практичні особливості інституційного розвитку ринку соціальних інвестицій в Україні. Проведено аналіз сучасного стану соціального інвестування в Україні, виявлено основні проблеми розвитку соціальних інвестицій в Україні. Запропоновано концептуальну модель єдиного фонду соціального інвестування, який слугує основою для розвитку соціально орієнтованих інвестицій шляхом інтеграції зусиль всіх його суб'єктів. Обгрунтовано, що єдиний фонд соціального інвестування має стати одним з основних інфраструктурних елементів ринку соціальних інвестицій, який за допомогою свого функціонального та ресурсного складу зможе узгодити та скоординувати дії суб'єктів у сфері соціального інвестування, залучити нові ресурси для реалізації соціальних проектів.
Попередній перегляд:   Завантажити - 362.6 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського