Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (2) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Kozinetz A$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 4 Представлено документи з 1 до 4 |
|||
| 1. | 
Kozinetz A. V. Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of "deep" p–n-junction [Електронний ресурс] / A. V. Kozinetz, S. V. Litvinenko, V. A. Skryshevsky // Ukrainian journal of physics. - 2017. - Vol. 62, № 4. - С. 318-325. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2017_62_4_8 | ||
| 2. | 
Kozinetz A. V. Amorphous submicron layer in depletion region: new approach to increase the silicon solar cell efficiency [Електронний ресурс] / A. V. Kozinetz, V. A. Skryshevsky // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 1. - С. 37-47. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2018_63_1_7 Створення тонкого субмікронного аморфізованого шару (АШ) в області просторового заряду кремнієвого фотоперетворювача може збільшувати коефіцієнт корисної дії за рахунок домішкового фотоелектричного ефекту. Раніше цей підхід був застосований до структур з модифікованим шаром в області емітера. Такий шар можна створити за допомогою іонної імплантації. Вбудова шару в область просторового заряду є перспективним підходом, оскільки надає змогу досягти зменшення впливу рекомбінації (через енергетичні рівні в забороненій зоні та рівні, пов'язані із локальними станами інтерфейсів). Параметри фотоперетворення модифікованої структури досліджено за допомогою методу числового моделювання, який надає змогу одержати світлові вольтамперні характеристики для різних параметрів АШ. На підставі цих результатів визначено оптимальні параметри АШ. У такому випадку щільність струму короткого замикання збільшується завдяки поглинанню фотонів з енергією, меншою ніж ширина забороненої зони кремнію 1,12 еВ, а напруга холостого ходу та фактор заповнення залишаються майже без змін. Теоретично можливо одержати підвищення ефективності на 1 - 2 % за абсолютною величиною. Це можливо, якщо шар з бар'єром у валентній зоні (менше, ніж 0,4 еВ) та бар'єром у зоні провідності (менше, ніж 0,1 еВ) створено у площині, яка відповідає близько 0,3 ширини області простору заряду. У іншому випадку деградація струму короткого замикання і фактора заповнення нівелює позитивний ефект додаткової фотогенерації. Збільшення напруги холостого ходу на 10 - 12 % (внаслідок обмеження інжекції в p-базу) супроводжується суттєвою деградацією щільності струму короткого замикання. Так, для збільшення напруги холостого ходу шар із суттєвим потенціальним бар'єром в зоні провідності (близько 0,4 еВ) має бути розташованим поблизу базової області. | ||
| 3. |
Kozinetz A. V. Amorphous submicron layer in depletion region: new approach to increase the silicon solar cell efficiency [Електронний ресурс] / A. V. Kozinetz, V. A. Skryshevsky // Ukrainian journal of physics. - 2018. - Vol. 63, № 1. - С. 38-48. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2018_63_1_7 Створення тонкого субмікронного аморфізованого шару (АШ) в області просторового заряду кремнієвого фотоперетворювача може збільшувати коефіцієнт корисної дії за рахунок домішкового фотоелектричного ефекту. Раніше цей підхід був застосований до структур з модифікованим шаром в області емітера. Такий шар можна створити за допомогою іонної імплантації. Вбудова шару в область просторового заряду є перспективним підходом, оскільки надає змогу досягти зменшення впливу рекомбінації (через енергетичні рівні в забороненій зоні та рівні, пов'язані із локальними станами інтерфейсів). Параметри фотоперетворення модифікованої структури досліджено за допомогою методу числового моделювання, який надає змогу одержати світлові вольтамперні характеристики для різних параметрів АШ. На підставі цих результатів визначено оптимальні параметри АШ. У такому випадку щільність струму короткого замикання збільшується завдяки поглинанню фотонів з енергією, меншою ніж ширина забороненої зони кремнію 1,12 еВ, а напруга холостого ходу та фактор заповнення залишаються майже без змін. Теоретично можливо одержати підвищення ефективності на 1 - 2 % за абсолютною величиною. Це можливо, якщо шар з бар'єром у валентній зоні (менше, ніж 0,4 еВ) та бар'єром у зоні провідності (менше, ніж 0,1 еВ) створено у площині, яка відповідає близько 0,3 ширини області простору заряду. У іншому випадку деградація струму короткого замикання і фактора заповнення нівелює позитивний ефект додаткової фотогенерації. Збільшення напруги холостого ходу на 10 - 12 % (внаслідок обмеження інжекції в p-базу) супроводжується суттєвою деградацією щільності струму короткого замикання. Так, для збільшення напруги холостого ходу шар із суттєвим потенціальним бар'єром в зоні провідності (близько 0,4 еВ) має бути розташованим поблизу базової області. | ||
| 4. | 
Kozinetz A. V. The first application of sensory structures based on photoelectric transducer for the study of enzymatic reactions [Електронний ресурс] / A. V. Kozinetz, O. V. Tsymbalyuk, S. V. Litvinenko // Біологічні студії. - 2022. - Т. 16, № 4. - С. 3-18. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/bist_2022_16_4_3 | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |