Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (17) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Fodchuk I$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 5 Представлено документи з 1 до 5 |
|||
| 1. | 
Fodchuk I. Determination of structural homogeneity of synthetic diamonds from analysis of Kikuchi lines intensity distribution [Електронний ресурс] / I. Fodchuk, S. Balovsyak, M. Borcha, Ya. Garabazhiv, V. Tkach // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 3. - С. 262-267 . - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_3_8 It has been suggested the technique based on analysis of geometry and intensity distribution profiles in Kikuchi patterns obtained due to electron backscattering diffraction for defining structural imperfection of diamond crystals. To determine the geometry parameters in Kikuchi patterns with the maximal precision, the special software was developed. It has been shown that application of electron diffraction (Kikuchi method) allows to obtain information about degree of perfection and homogeneity of real structure for diamond crystals synthesized with various methods. | ||
| 2. |
Fodchuk I. M. Magnetic force microscopy of YLaFeO films implanted by high dose of nitrogen ions [Електронний ресурс] / I. M. Fodchuk, I. I. Gutsuliak, R. A. Zaplitniy, S. V. Balovsyak, I. P. Yaremiy, O. Yu. Bonchyk, G. V. Savitskiy, I. M. Syvorotka, P. M. Lytvyn // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 3. - С. 246-252. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_3_5 | ||
| 3. | 
Fodchuk I. Reconstruction of spatial distribution of strains in crystals using the energy spectrum of X-ray Moire patterns [Електронний ресурс] / I. Fodchuk, S. Balovsyak, S. Novikov, I. Yanchuk, V. Romankevych // Ukrainian journal of physical optics. - 2020. - Vol. 21, № 3. - С. 141-151. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UJPO_2020_21_3_5 | ||
| 4. | 
Gnatyuk V. Laser-Induced Modification of the Morphology and Defect Structure of Heterostructures Based on Detector-Grade CdTe Crystals [Електронний ресурс] / V. Gnatyuk, O. Maslyanchuk, V. Strebezhev, I. Fodchuk, M. Solovan, M. Sorokatyi, I. Boledzyuk, A. Kuzmin // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2023. - Vol. 15, no. 1. - С. 01001-1-01001-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2023_15_1_3 Процеси лазерного маніпулювання дефектно-домішковою системою та лазерної трансформації морфології кристала надали змогу підвищити детектуючі властивості структур на основі CdTe з бар'єром Шотткі. За допомогою методу рентгенівської дифрактометрії високої роздільної здатності оцінено структурну досконалість монокристалів CdTe:Cl. Ефективність контакту залежить як від матеріалу електрода, так і від обробки поверхні кристала CdTe перед його осадженням, крім того, характеристики сформованого інтерфейсу електрод-напівпровідник можуть бути змінені різними обробками. Опромінення поверхні кристалів CdTe або структур метал-CdTe лазерними імпульсами призводило до зміни морфології поверхні напівпровідника, утворення та перерозподілу дефектів в області поверхні та модифікації характеристик цієї області або межі розділу. Досліджено вплив лазерної обробки на структуру домішкових дефектів та електричні характеристики рентгенівських/<$Egamma>-детекторів на діодах Шотткі, розроблених шляхом осадження Ni та NiO на комерційно доступні пластини CdTe:Cl. З викорисанням методів атомно-силової та скануючої електронної мікроскопії досліджено особливості тонких плівок Ni та NiO до та після лазерного опромінення. Обговорен вплив імпульсного лазерного опромінення на контакти Ni/CdTe і NiO/CdTe та механізми трансформації їх фазового стану, оскільки така обробка цих контактів Шотткі призвела до оптимізації електричних характеристик. Показано, що лазерна обробка гетеропереходів, як підкладки CdTe, так і плівки Ni та NiO, може навмисно змінити електричні властивості та підвищити чутливість Ni/p-CdTe/Au/Cu та NiO/p-CdTe/AuCu детекторів. Також обговорено вплив лазерної обробки на структурні та спектроскопічні властивості рентгенівських/<$Egamma>-детекторів на діодах Шотткі на основі CdTe. | ||
| 5. | 
Balovsyak S. Expert system for supporting the construction of three-dimensional models of objects by the photogrammetry method [Електронний ресурс] / S. Balovsyak, V. Vasiliev, I. Fodchuk // Security of Infocommunication Systems and Internet of Things. - 2023. - Vol. 1, № 2. - С. 02005(5). - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/secisit_2023_1_2_7 | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |