Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (2)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Dompreh K$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
1.

Dompreh K. A. 
Thermoelectric amplification of phonons in graphene [Електронний ресурс] / K. A. Dompreh, N. G. Mensah, S. Y. Mensah, S. K. Fosuhene // Физика низких температур. - 2016. - Т. 42, № 6. - С. 596-599. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2016_42_6_8
Amplification of acoustic in-plane phonons due to an external temperature gradient <$E ( grad T)> in single-layer graphene (SLG) was studied theoretically. The threshold temperature gradient <$E ( grad T) sub 0 sup g> and the threshold voltage <$E (V sub T ) sub 0 sup g> in SLG were evaluated. For T = 77 K, the calculated value for <$E ( grad T) sub 0 sup g> 746,8 K/cm and <$E (V sub T ) sub 0 sup g~=~6,6> mV. The calculationwas done in the hypersound regime. Further, the dependence of the normalized amplification (<$E GAMMA "/" GAMMA sub 0>) on the frequency <$E omega sub q> and <$E grad T "/" T> were evaluated numerically and presented graphically. The calculated threshold temperature gradient <$E ( grad T) sub 0 sup g> for SLG was higher than that obtained for homogeneous semiconductors <$E (n-InSb)( grad T) sub 0 sup hom~symbol Ы~10 sup 3> K/cm, superlattices <$E ( grad T) sub 0 sup SL~=~384> K/cm, and cylindrical quantum wire <$E ( grad T) sub 0 sup cqw~symbol Ы~10 sup 2> K/cm. This makes SLG a much better material for thermoelectric phonon amplification.
Попередній перегляд:   Завантажити - 512.797 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Amekpewu M. 
Influence of temperature variation on the electrical conductivity of zigzag carbon nanotubes under homogeneous axial dc field [Електронний ресурс] / M. Amekpewu, S. Y. Mensah, R. Musah, S. S. Abukari, K. A. Dompreh, N. G. Mensah, M. Kuwonu // Фізика низьких температур. - 2021. - Т. 47, Вип. 10. - С. 942-948. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2021_47_10_12
Наведено теоретичні дослідження впливу температурних змін на електропровідність зигзагоподібних вуглецевих нанотрубок (ВНТ) під дією однорідного осьового електричного постійного поля. Рівняння Больцмана використано для визначення щільності струму зигзагоподібних ВНТ (ЗПВНТ) як функції однорідного осьового постійного поля та температури. Графіки нормованої щільності струму залежно від однорідного постійного поля, яке прикладене вздовж осі напівпровідникових ЗПВНТ, у випадку підвищення кімнатної температури з 293 до 299 К показали значне збільшення електропровідності, тоді як в металевих ЗПВНТ вона практично э постійною або незначно зменшується. Передбачається, що напівпровідникові ЗПВНТ можуть стати потенційним матеріалом для датчиків температури, оскільки демонструють більш швидкий відгук і значно вищу чутливість до змін кімнатної температури, ніж їх металеві аналоги. Електрична провідність металевих ЗПВНТ значно збільшується у випадку зниження температури до дуже низького значення, що, ймовірно, може призвести до надпровідності, яка зазвичай виникає за дуже низьких температур. Ці потенційні датчики температури та надпровідники з наноматеріалів знаходять широке застосування в сучасній науці та техніці.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.791 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського