Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (10)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>A=Deyneko N$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 9
Представлено документи з 1 до 9
1.

Khrypunov G. 
Increasing the efficiency of film solar cells based on cadmium telluride [Електронний ресурс] / G. Khrypunov, S. Vambol, N. Deyneko, Y. Suchikova // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2016. - № 6(5). - С. 12-18. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2016_6(5)__3
Попередній перегляд:   Завантажити - 427.785 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Vambol S. 
Analysis of the ways to provide ecological safety for the products of nanotechnologies throughout their life cycle [Електронний ресурс] / S. Vambol, V. Vambol, Y. Suchikova, N. Deyneko // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2017. - № 1(10). - С. 27-36. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2017_1(10)__5
Попередній перегляд:   Завантажити - 3.72 Mb    Зміст випуску     Цитування
3.

Deyneko N. 
Investigation of the combination of ITO/CdS/CdTe/Cu/Au solar cells in microassembly for electrical supply of field cables [Електронний ресурс] / N. Deyneko, O. Semkiv, I. Khmyrov, A. Khryapynskyy // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2018. - № 1(12). - С. 18-23. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2018_1(12)__4
Проведено дослідження, спрямовані на оптимізацію конструкції мікромодулів на основі фотоелектричних перетворювачів ITO/CdS/CdTe/Cu/Au, використовуваних в автономних установках електропостачання польових таборів. Встановлено, що послідовне з'єднання одиничних сонячних ITO/CdS/CdTe/Cu/Au в мікрозбірці забезпечує стабільність роботи фотоелектричного перетворювача навіть за умови виходу з ладу одного або декількох одиничних сонячних елементів. Отримано експериментальні зразки мікромодулів із ккд 5,3 %.
Попередній перегляд:   Завантажити - 907.63 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Deyneko N. 
Development of a technique for restoring the efficiency of film ITO/CdS/CdTe/Cu/Au SCs after degradation [Електронний ресурс] / N. Deyneko, P. Kovalev, O. Semkiv, I. Khmyrov, R. Shevchenko // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2019. - № 1(5). - С. 6-12. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2019_1(5)__2
Проведено дослідження впливу прямої полярності на вихідні параметри сонячних елементів (СЕ) ITO/CdS/CdTe/Cu/Au. Експериментально зафіксовано вплив електричного поля (ЕП) прямої полярності на вихідні параметри і світлові діодні характеристики СЕ ITO/CdS/CdTe/Cu/Au, у яких відбулася деградація ккд. У разі витримки затемненого СЕ не менше 120 хв в ЕП, наведеним зовнішньою постійною напругою величиною (0,5 - 0,9) В, спостерігається зростання ккд. Полярність ЕП повинна відповідати прямому зміщенню n - p гетеропереходу. Зростання ккд спостерігається лише у тому випадку, якщо у разі деградації приладової структури не встигли сформуватися дефекти, які за вказаний час витримки призводять до самовідновлювальних електричних мікропробоїв, що чередуються. Встановлено, що зростання ккд відбувається за рахунок збільшення густин фотоструму, зменшення послідовного та збільшення шунтувального опорів СЕ. Покращання діодних характеристик відбувається завдяки кільком фізичним процесам. У випадку подачі на СЕ напруги прямого зміщення, всередині діодної структури СЕ створюється ЕП, яке підсилює вбудоване ЕП тильного p - p<^>+ гетероперехода і пригнічує вбудоване електричне поле фронтального n<^>+ - p гетероперехода. Це відбувається внаслідок того, що діоди включені на зустріч один одному. Величина напруги прямого зміщення не повинна перевищувати висоту потенційного бар'єру гетеропереходу. У цьому випадку на тильному p - p<^>+ гетеропереході та у прилеглих до нього з обох сторін областях будуть інтенсифіковані процеси пов'язані з транспортом атомів міді. Крім того, спостерігається перебудова комплексів точкових дефектів, що містять мідь, та фазові перетвореннями Cu1,4Te в Cu2-xTe. Також під впливом поля, індукованого прямозміщувальною напругою, частки CuCd з області збіднення шару CdS почнуть рухатись у абсорбер. Це повинно знизити опір частини шару CdS і призвести до зменшення ширини області збідніння з боку абсорбера, тим самим, забезпечити зростання спектральної чутливості СЕ в коротко- та середньохвильовій областях сонячного спектра. Електродифузія додаткової кількості CuCd- в абсорбер повинна посилювати вищеописаний і пов'язаний із цим ефект підвищення спектральної чутливості, а значить і Jф приладів. На підставі проведених досліджень розроблено алгоритм відновлення ефективності СЕ ITO/CdS/CdTe/Cu/Au і відбраковування деградованих приладових структур в складі працюючого модуля, що працює.
Попередній перегляд:   Завантажити - 710.352 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Bolbas O. 
Degradation of CdTe SC during operation: modeling and experiment [Електронний ресурс] / O. Bolbas, N. Deyneko, S. Yeremenko, O. Kyryllova, O. Myrgorod, O. Soshinsky, N. Teliura, N. Tsapko, R. Shevchenko, Y. Yurchyk // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2019. - № 6(12). - С. 46-51. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2019_6(12)__7
Шляхом експериментальних досліджень вивчено механізми деградації сонячних елементів (СЕ) CdTe у процесі експлуатації. Визначено 2 механізми деградації таких СЕ. Перший обумовлений генерацією дефектів в області переходу, яка обумовлена надлишковими носіями заряду та дефектами. Другий - зростанням величини тильного бар'єру. Дослідження вольтамперних і вольтфарадних характеристик СЕ надали можливість запропонувати модель деградації СЕ на основі CdTe. Встановлено, що наявність міді у складі тильного контакту пов'язано з найкращою начальною ефективністю однак і найбільш швидкою деградацією в процесі експлуатації. Відповідно до запропонованої моделі пояснено виникнення додаткової кількості елементарних дефектів як результат дисоціації трьох видів комплексів точкових дефектів. Розглянуто шунтування n - p гетеропереходу та фазові перетворення зі сторони p<^>+-Cu2-xTe за рахунок електродифузії <$E roman {Cu sub Cd sup -}> із p-CdTe на межі n-CdS/p-CdTe та p-CdTe/p<^>+ - Cu2-xTe. З іншого боку, є можливою дифузія <$E roman Cu sub i sup +> (межвузлова мідь) в об'єм абсорбера. Можлива електодіфузія дефектів із гетеропереходів в об'єм абсорбера, що спричиняє компенсацію ефективних акцепторних центрів і призводить до зниження часу життя неосновних носіїв заряду і відповідно до зниження <$E J sub PHI>. Крім того, спостерігається проростання шунтувальних металевих ланцюжків по поздовжніх межзеренних кордонах p-CdTe між n - р і р - р<^>+ гетеропереходами та можливість виникнення високоомних фаз системи Cu - Te. Запропонована модель пояснює можливість виникнення фази <$E p sup +~-~roman {Cu sub {2- delta} S}> на межі CdS/CdTe, яка стримує проходження фотоактивної частини сонячного спектра в p-CdTe.
Попередній перегляд:   Завантажити - 925.973 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Burmenko O. 
Investigating an alternative electricity supply system for preventing emergencies under conditions of limited capacity [Електронний ресурс] / O. Burmenko, N. Deyneko, I. Hrebtsova, I. Kryvulkin, O. Prokopenko, R. Shevchenko, O. Tarasenko // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2020. - № 3(12). - С. 56-61. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2020_3(12)__7
Для задоволення потреби у альтернативній системі електрозабезпечення під час ліквідації та попередження надзвичайної ситуації за умов пошкодження системи електропостачання досліджено плівкові сонячні елементи (СЕ). З урахуванням високої деградаційної стійкості телуриду кадмію для дослідження обрано двосторонньо чутливі СЕ на основі CdS/CdTe із надтонким базовим шаром придатні для формування тандемних структур. Створення тандемних структур надає можливість збільшити ккд за рахунок розміщення на фронтальній поверхні іншого фотоперетворювача. Проведено вимірювання світлових ВАХ СЕ ITO/CdS/CdTe/Cu/ITO з товщиною базового шару 1 мкм, за одночасного освітлення з тильної та фронтальної сторін. Експериментально показано, що двостороннє освітлення надає можливість підвищити електричну потужність, що виробляється приладовою структурою, на 30 %. Дослідження спектральних залежностей коефіцієнта пропускання показали, що приладові структури ITO/CdS/CdTe/Cu/ITO з товщиною базового шару 1 мкм у спектральному діапазоні 0,82 - 1,10 мкм мають середній коефіцієнт пропускання 0,58. Дослідження світлових ВАХ СЕ Mo/CuInSe<^>2/CdS/ZnO/ZnO:Al/Ni:Al/Ni показали, що розміщення на його фронтальній поверхні СЕ ITO/CdS/CdTe/Cu/ITO призводить до зниження ккд із 11,2 до 6,0 %. Таке зниження, першлю чергою, обумовлене зменшенням густини струму короткого замикання з 25,9 до 13,8 мА/см<^>2. Однак, оскільки ккд СЕ ITO/CdS/CdTe/Cu/ITO становить 7,8 %, то апробовані тандемні фотоелектричні перетворювачі ITO/CdS/CdTe/Cu/ITO - Mo/CuInSe<^>2/CdS/ZnO/ZnO:Al/N продемонстрували ефективність 13,8 %.
Попередній перегляд:   Завантажити - 477.579 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
7.

Deyneko N. 
Devising a technique to improve the efficiency of CdS/CdTe/Cu/Au solar cells intended for use as a backup power source for the systems of safety and control of objects [Електронний ресурс] / N. Deyneko, A. Zhuravel, L. Mikhailova, O. Naden, A. Onyshchenko, A. Savchenko, V. Strelets, Ye. Yurevich // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2020. - № 6(5). - С. 21-27. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2020_6(5)__4
This paper reports a study into the impact of cadmium telluride layer thickness on the effectiveness of the CdS/CdTe/Cu/Au film solar cells. The physical mechanisms have been investigated of charge transfer in the CdS/CdTe/Cu/Au solar cells, which are intended for use as a backup power source for the systems of safety and control of objects. This is important because, despite the growing popularity of solar cell application, the effectiveness of laboratory samples differs greatly from the theoretical maximum. Thus, it has been established that the optimum thickness of the base layer of film CdS/CdTe/Cu/Au SCs is 4 <$Emu>m. When the thickness of the cadmium telluride layer is reduced, the effectiveness of such an assembly decreases. The decrease in efficiency occurs as a result of reducing the shunting electric resistance, increasing the density of a diode saturation current, as well as consistent electric resistance. With the increase in the thickness of the telluride layer exceeding 4 <$Emu>m, there is also a decrease in the efficiency of a solar cell due to the reduced shunting resistance and the increased serial electric resistance. The deterioration of the specified light diode characteristics of CdS/CdTe/Cu/Au SCs, which occurs when the thickness of the base layer is reduced by more than 4 <$Emu>m, is due to the diffusion of copper from the contact to the area of the separating barrier. The deterioration of light diode characteristics when increasing the thickness of the base layer of cadmium telluride is associated with a decrease in the positive effects of "chloride" treatment. The examined physical charge transfer mechanisms in the CdS/CdTe/Cu/Au solar cells have made it possible to establish the height of the rear potential barrier. In the samples studied, the height of the rear potential barrier is 0'3 eV. The existence of such a barrier gives rise to the thermal-emission mechanism of charge transfer in such solar cells when applying a direct offset exceeding 1 V.
Попередній перегляд:   Завантажити - 813.603 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
8.

Borysenko І. 
Development of a method for producing effective CdS/CdTe/Cu/Au solar elements on a flexible substrate designed for backup supplying systems prevention of emergency situations [Електронний ресурс] / І. Borysenko, О. Burmenko, N. Deyneko, O. Zobenko, Y. Yivzhenko, G. Kamyshentsev, V. Muraviov, Y. Mykhailovska, V. Khrystych, S. Kryvonis // Eastern-european journal of enterprise technologies. - 2021. - № 6(5). - С. 6–11. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2021_6(5)__3
The technology of forming film solar cells based on CdS/CdTe configuration of the "superstrat" type on a flexible substrate has been improved. To increase the efficiency of the developed solar cells on a flexible substrate, a chemical etching procedure in a nitrogen-phosphorus mixture was added to the traditional "chemical treatment". The conducted studies of the output parameters of the developed device structures showed that the highest values are observed in the case of chemical etching, both before the "chloride treatment" and after it. In the course of the study, it was found that a mandatory procedure in the formation of effective device structures is chemical etching in a nitrogen-phosphorus mixture both before the "chloride treatment" and after it. Carrying out the described procedures made it possible to obtain solar cells on a flexible substrate with an efficiency of 13,1 %. The increase in the efficiency of solar cells with two-stage chemical etching can be explained by the formation of excess tellurium on the surface, which leads to a decrease in resistance and, therefore, to a more efficient penetration of chlorine during the subsequent chloride treatment. Analysis of the transverse cleavage of the investigated device structures demonstrates significant grain growth and surface smoothness of the base layer, which ensures good adhesion with back contact. A study of the degradation resistance of the developed device structures during operation has been carried out. It was found that the obtained solar cells based on CdTe on a flexible substrate have a high degradation resistance and after 10 bending cycles there is no decrease in the output parameters. Thus, it has been established that chemical etching in a nitrogen-phosphorus mixture is a mandatory procedure for the formation of efficient solar cells on a flexible substrate.
Попередній перегляд:   Завантажити - 617.524 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
9.

Neshpor O. 
Optimization of the technology for designing sensitive gas sensors based on zinc oxide using a sol-gel method [Електронний ресурс] / O. Neshpor, N. Deyneko, R. Ponomarenko, A. Maiboroda, M. Kropyva, O. Blyashenko, S. Yeremenko, V. Sydorenko, V. Servatyuk, A. Pruskyi // Eastern-European journal of enterprise technologies. - 2022. - № 4(5). - С. 30-36. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2022_4(5)__6
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.097 Mb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського