Наукова періодика України - НБУВ Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського

Простий
пошук

Розширений
пошук

Покажчики

Професійний
пошук

Рубрикатор
НБУВ

Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Наукова періодика України

Тематичний навігатор

Авторитетний файл імен осіб

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

Повнотекстовий пошук

Знайдено в інших БД:

Реферативна база даних (7)

Список видань за алфавітом назв:

A B C D E F G H I J L M N O P R S T U V W

А Б В Г Ґ Д Е Є Ж З И І К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я

Авторський покажчик Покажчик назв публікацій

Пошуковий запит: (<.>A=Brus V$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 8 Представлено документи з 1 до 8
1.	Ilashchuk M. I. Influence of Cr doping on optical and photoluminescent properties of CdTe [Електронний ресурс] / M. I. Ilashchuk, O. A. Parfenyuk, K. S. Ulyanytskiy, V. V. Brus, N. D. Vakhnyak // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 1. - С. 91-94 . - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_1_20 Spectra of transmission and low-temperature photoluminescence of CdTe:Cr crystals have been investigated for concentrations of the doping impurity (Cr) from <$E1~cdot~10 sup 17> to <$E4~cdot~10 sup 19~roman cm sup -3> in the melt. We have found additional absorption bands with maxima at <$E lambda sub 1~symbol Ы~1,9~mu roman m> and <$E lambda sub 2~symbol Ы~7,0~mu roman m> induced by the presence of this dopant. An additional band of radiative recombination in the vicinity of 1,22 eV is caused by electron transitions from the conduction band to the deep donor levels <$E E sub v~+~(0,36~-~0,38)> eV, which correspond to the Cr<^>1+ defect entering to clusters. We have also observed the shift of CdTe:Cr absorption edge to the longwave region. This shift is caused by strong lattice deformation near the Cr<^>2+ impurity position due to the static Jahn-Teller effect. Попередній перегляд: Завантажити - 316.408 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
2.	Brus V. V. Comparison of optical properties of TiO2 thin films prepared by reactive magnetron sputtering and electron-beam evaporation techniques [Електронний ресурс] / V. V. Brus, Z. D. Kovalyuk, O. A. Parfenyuk, N. D. Vakhnyak // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 4. - С. 427-431. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_4_11 The envelope method was used to determine optical constants of TiO2 thin films deposited by DC reactive magnetron sputtering and electron-beam evaporation techniques. The density and thickness of the thin films were calculated. Optical properties of the TiO2 thin films were strongly dependent on the deposition technology. The TiO2 thin films prepared by magnetron sputtering and electron-beam evaporation methods were established to be indirect band semiconductors with the band gap energies 3,15 and 3,43 eV, respectively. Попередній перегляд: Завантажити - 239.525 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
3.	Brus V. V. Photoelectrical analysis of n-TiO2/p-CdTe heterojunction solar cells [Електронний ресурс] / V. V. Brus, P. D. Maryanchuk, O. A. Parfenyuk, N. D. Vakhnyak // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 1. - С. 37-42. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_1_6 Попередній перегляд: Завантажити - 312.809 Kb Зміст випуску Цитування
4.	Dobrovolskyi Yu. Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm [Електронний ресурс] / Yu. Dobrovolskyi, L. Pidkamin, V. Brus, V. Kuzenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 3. - С. 256-259. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_3_10 A mathematical model of the construction of silicon photodiode based on epitaxial structure enabling to regulate the absorption edge of silicon in the long-wave spectral range is presented. The suggested model allows calculating the construction that possesses low sensitivity for the wavelengths larger than 600 nm and maximal values near the wavelength 254 nm. Попередній перегляд: Завантажити - 1.813 Mb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
5.	Brus V. V. A Solar Cell Based on a Heterojunction n-ТіО2/p-CdTe [Електронний ресурс] / V. V. Brus, M. I. Ilashchuk, Z. D. Kovalyuk, P. D. Maryanchuk, K. S. Ulyanytsky, B. M. Gritsyuk // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 2. - С. 478-481. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_2_35 Виготовлено фоточутливі гетеропереходи n-TiO2/p-CdTe шляхом нанесення за допомогою методу реактивного магнетронного розпилення за постійної напруги тонких плівок TiO2 n-типу провідності на свіжосколоті монокристалічні підкладки p-CdTe (110). Запропоновано методи формування омічних контактів до n-TiO2 і p-CdTe, а також досліджено їх електричні властивості. Сонячний елемент у випадку освітлення 100 мВт/см<^>2 володіє наступними фотоелектричними параметрами: напруга холостого ходу Voc = 0,69 В, струм короткого замикання Isc = 6 мА/см<^>2 і коефіцієнт заповнення FF = 0,42. Попередній перегляд: Завантажити - 177.527 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
6.	Solovan M. M. Optical and Electrical Properties of Graphite Thin Films Prepared by Different Methods [Електронний ресурс] / M. M. Solovan, H. M. Yamrozyk, V. V. Brus, P. D. Maryanchuk // East european journal of physics. - 2020. - No 4. - С. 154-159. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eejph_2020_4_21 Попередній перегляд: Завантажити - 322.222 Kb Зміст випуску Цитування
7.	Solovan M. M. Influence of the NaCl Dielectric Layer on the Electrical Properties of Graphite/n-Cd1 – xZnxTe Schottky Diodes Fabricated by Transferring a Drawn Graphite [Електронний ресурс] / M. M. Solovan, H. P. Parkhomenko, V. V. Brus, A. I. Mostovyi, P. D. Maryanchuk // Journal of nano- and electronic physics. - 2021. - Vol. 13, no. 4. - С. 04008-1-04008-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2021_13_4_10 Представлено результати дослідження електричних властивостей діодів Шотткі графіт/n-Cd1 - xZnxTe, одержаних шляхом перенесення сухих графітових плівок на підкладки Cd1 - xZnxTe. Твердий розчин Cd1 - xZnxTe з низьким вмістом Zn був вирощений за допомогою методу Бріджмена за низького тиску парів кадмію і мав низький опір <$Erho~symbol Ы~10 sup 2> Ом-см. Значення послідовного Rs та шунтуючого Rsh опорів для діодів Шотткі графіт/n-Cd1 - xZnxTe та графіт/NаCl/n-Cd1 - xZnxTe визначали із залежності їх диференціального опору Rdif. Висота потенціального бар'єру для діодів Шотткі графіт/n-Cd1 - xZnxTe та графіт/NаCl/n-Cd1 - xZnxTe визначалася шляхом екстраполяції лінійних ділянок ВАХ до перетину з віссю напруги і становила 0,63 еВ та 1,12 еВ відповідно. Велике значення висоти потенціального бар'єру для зразка графіт/NаCl/n-Cd1 - xZnxTe визначалася шляхом екстраполяції лінійних ділянок ВАХ до перетину з віссю напруги і становила 0,63 еВ та 1,12 еВ відповідно. Велике значення висоти потенціального бар'єру для зразка графіт/NаCl/n-Cd1 - xZnxTe зумовлено наявністю діелектричного шару NaCl. Домінуючі механізми струмопереносу через діоди Шотткі графіт/n-Cd1 - xZnxTe та графіт/NаCl/n-Cd1 - xZnxTe добре описуються в межах генераційно-рекомбінаційної та тунельної моделей (для прямого та зворотного зміщення відповідно). Попередній перегляд: Завантажити - 556.656 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
8.	Parkhomenko H. P. Electrical and Photoelectric Properties of Organic-Inorganic Heterojunctions PEDOT:PSS/n-CdTe [Електронний ресурс] / H. P. Parkhomenko, M. M. Solovan, A. I. Mostovyi, I. G. Orletskyi, V. V. Brus // East european journal of physics. - 2021. - No 4. - С. 43-48. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eejph_2021_4_6 Попередній перегляд: Завантажити - 601.779 Kb Зміст випуску Цитування

Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів

Пам`ятка користувача

Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського