Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
у знайденому
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (10)Журнали та продовжувані видання (1)Реферативна база даних (220)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Фреїк Д$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 117
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Малашкевич Г. Є. 
Оптичні властивості топологія нанокристалічних структур на основі плюмбум телуриду: модельні підходи [Електронний ресурс] / Г. Є. Малашкевич, Д. М. Фреїк, Я. С. Яворський // Прикарпатський вісник НТШ. Число. - 2012. - № 1. - С. 131-146. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Pvntsh_ch_2012_1_17
Попередній перегляд:   Завантажити - 974.23 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Фреїк Д. М. 
Нанокомпозитні термоелектричні матеріали: отримання, властивості використання (огляд) [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, О. С. Криницький, О. М. Матківський // Прикарпатський вісник НТШ. Число. - 2012. - № 1. - С. 155-195. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Pvntsh_ch_2012_1_19
Попередній перегляд:   Завантажити - 2.357 Mb    Зміст випуску     Цитування
3.

Фреїк Д. М. 
Композитні термоелектричні матеріали із нановключеннями: сучасний стан і перспективи (Огляд) [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, О. С. Криницький, О. М. Матківський // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2013. - Т. 10, № 4. - С. 60-80. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2013_10_4_7
Попередній перегляд:   Завантажити - 6.698 Mb    Зміст випуску     Цитування
4.

Фреїк Д. М. 
Явища переносу у парофазних конденсатах PbTe-Bi2Te3 на поверхні слюди [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, Б. С. Дзундза, Я. С. Яворський, Т. С. Люба, О. М. Матківський // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2014. - Т. 5, № 1. - С. 82-88. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/khphtp_2014_5_1_13
Досліджено залежність структурних характеристик та електричних властивостей тонких плівок твердих розчинів PbTe - Bi2Te3 складів 1, 3, 5 мол. % Bi2Te32Te3 складів 1, 3, 5 мол. % Bi2Te3, осаджених у відкритому вакуумі на ситалових підкладках від їх товщини d (0,2 - 2) мкм. Визначено ефективну довжину вільного пробігу <$Elambda> носіїв заряду і встановлено домінуючий механізм їх розсіювання. У межах двошарової моделі Петріца зроблено оцінку величини термоелектричних параметрів приповерхневих шарів. Встановлено що конденсат характеризується стабільним n-типом провідності і має місце дифузне розсіювання носіїв на поверхні, що зумовлює значне зменшення по відношенню до об'єму плівок величини рухливості (mus), питомої електропровідності (sigmas), та зростання коефіцієнта Зеєбека (Ss). Одержані результати пояснено акцепторним впливом атмосферного кисню та дроселюванням носіїв заряду на потенціальних бар'єрах міжзеренних меж.Проведено дослідження залежності структурних характеристик і термоелектричних властивостей тонких плівок твердих розчинів PbTe - Sb2Te3 складів 1,3,5 мол. % Sb2Te3, осаджених у відкритому вакуумі на ситалових підкладках від їх товщини d = (0,2 - 2) мкм. Визначено ефективну довжину вільного пробігу носіїв заряду та встановлено домінуючий механізм їх розсіювання. У межах двошарової моделі Петріца зроблено оцінку величини термоелектричних параметрів приповерхневих шарів. Встановлено, що конденсат характеризується стабільним n-типом провідності і має місце дифузне розсіювання носіїв на поверхні, що зумовлює значне зменшення по відношенню до об'єму плівок величини рухливості, питомої електропровідності, та зростання коефіцієнта Зеєбека. Одержані результати пояснено акцепторним впливом атмосферного кисню та дроселюванням носіїв заряду на потенціальних бар'єрах міжзеренних меж.
Попередній перегляд:   Завантажити - 462.972 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Фреїк Д. 
Термодинамічні параметри та фазові перетворення у кристалах цинк селеніду: квантово-хімічний розрахунок [Електронний ресурс] / Д. Фреїк, Т. Паращук, Н. Фреїк, А. Гребенюк // Chemistry of metals and alloys. - 2012. - Vol. 5, № 3-4. - С. 123-128. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Khms_2012_5_3-4_6
Попередній перегляд:   Завантажити - 497.739 Kb    Зміст випуску     Цитування
6.

Фреїк Д. М. 
Міжзеренні межі і електричні властивості тонких плівок твердих розчинів PbTe-Bi2Te3 [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, Б. С. Дзундза, Л. Й. Межиловська, І. Б. Гатала, С. І. Мудрий // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 2. - С. 02020(7). - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_2_22
Досліджено структуру й електричні властивості тонких плівок на основі твердих розчинів PbTe - Bi2Te3, осаджених у вакуумі на слюдяні підкладки та ситалові. Встановлено, що парофазний конденсат має мозаїчну структуру, сформовану за механізмом зародження Фольмера - Вебера і реалізації процесів нуклеації, агрегування та коалесценції нанокристалітів. На основі електротехнічної моделі визначено товщину h та питомий опір <$Erho sub h> міжзеренних меж. Показано, що зі збільшенням вмісту Bi2Te3 мають місце зростання h і величини <$Erho sub h>, який більш чим на порядок перевищує опір зерна <$Erho sub 0>.
Попередній перегляд:   Завантажити - 824.609 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
7.

Салій Я. П. 
Періодичність розподілу власних дефектів у епітаксійних плівках PbTe [Електронний ресурс] / Я. П. Салій, Д. М. Фреїк, І. К. Юрчишин, І. М. Фреїк // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т. 5, № 3(2). - С. 03038-1-03038-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2013_5_3(2)__14
Встановлено, що розмірні ефекти в плівках PbTe p-типу, вирощених на поліамідній стрічці за допомогою методу відкритого випаровування у вакуумі, пов'язані з періодичним розподілом донорів. Виконано апроксимацію експериментальних ефективних залежностей провідності sigmad та добутку коефіцієнта Холла і квадрату провідності Rdsigmad2 від товщини теоретичними залежностями, які є інтегралами від добутку локальної концентрації n(x), представленої синусоїдою, що визначається розподілом донорів за глибиною, і незалежної від координати рухливості mu у відповідній степені. Одержано просторові параметри розподілу точкових дефектів. Виходячи з шаруватої неоднорідності напівпровідникових плівок PbTe, висловлено гіпотезу про дифузійну нестабільність точкових дефектів ініційовану міжфазною границею підкладка плівка.
Попередній перегляд:   Завантажити - 245.981 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
8.

Фреїк Д. М. 
Явища переносу у парофазних конденсатах PbTe-Bi2Te3 на ситалі [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, Б. С. Дзундза, Я. С. Яворський, І. С. Биліна, Т. С. Люба // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т. 5, № 3(2). - С. 03054-1-03054-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2013_5_3(2)__30
Досліджено залежність структурних характеристик та електричних властивостей тонких плівок твердих розчинів PbTe - Bi2Te3 складів 1, 3, 5 мол. % Bi2Te32Te3 складів 1, 3, 5 мол. % Bi2Te3, осаджених у відкритому вакуумі на ситалових підкладках від їх товщини d (0,2 - 2) мкм. Визначено ефективну довжину вільного пробігу <$Elambda> носіїв заряду і встановлено домінуючий механізм їх розсіювання. У межах двошарової моделі Петріца зроблено оцінку величини термоелектричних параметрів приповерхневих шарів. Встановлено що конденсат характеризується стабільним n-типом провідності і має місце дифузне розсіювання носіїв на поверхні, що зумовлює значне зменшення по відношенню до об'єму плівок величини рухливості (mus), питомої електропровідності (sigmas), та зростання коефіцієнта Зеєбека (Ss). Одержані результати пояснено акцепторним впливом атмосферного кисню та дроселюванням носіїв заряду на потенціальних бар'єрах міжзеренних меж.Проведено дослідження залежності структурних характеристик і термоелектричних властивостей тонких плівок твердих розчинів PbTe - Sb2Te3 складів 1,3,5 мол. % Sb2Te3, осаджених у відкритому вакуумі на ситалових підкладках від їх товщини d = (0,2 - 2) мкм. Визначено ефективну довжину вільного пробігу носіїв заряду та встановлено домінуючий механізм їх розсіювання. У межах двошарової моделі Петріца зроблено оцінку величини термоелектричних параметрів приповерхневих шарів. Встановлено, що конденсат характеризується стабільним n-типом провідності і має місце дифузне розсіювання носіїв на поверхні, що зумовлює значне зменшення по відношенню до об'єму плівок величини рухливості, питомої електропровідності, та зростання коефіцієнта Зеєбека. Одержані результати пояснено акцепторним впливом атмосферного кисню та дроселюванням носіїв заряду на потенціальних бар'єрах міжзеренних меж.
Попередній перегляд:   Завантажити - 481.224 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
9.

Фреїк Д. 
Термодинаміка власних точкових дефектів у нестехіометричному плюмбум телуриді [Електронний ресурс] / Д. Фреїк, І. Горічок, Ю. Лисюк, М. Шевчук // Chemistry of metals and alloys. - 2012. - Vol. 5, № 1-2. - С. 1-7. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Khms_2012_5_1-2_4
Використовуючи поняття термодинамічного потенціалу для характеристики кристала розраховано залежність концентрації електронів від температури у CdTe після відпалу у парі Cd у разі її максимального тиску. Розрахунок проведено для моделі домінування (МД) <$E {roman Cd} sub i sup 2+> і МД <$E V sub roman Te sup 2+>. Визначено температурну залежність ентальпії утворення домінуючого дефекту.За допомогою методу термодинамічних потенціалів проаналізовано домінуючі точкові дефекти, а також рівноважну концентрацію вільних носіїв заряду та ступінь відхилення від стехіометрії SnTe залежно від технологічних факторів двотемпературного відпалу - температури відпалу T і тиску пари халькогену PTe2. Розраховано енергії утворення моновакансій металу та халькогену.Проведено розрахунок концентрацій точкових дефектів і вільних носіїв заряду у металічній та напівпровідниковій фазі монокристалічного моносульфіду самарію, що знаходиться у рівновазі з парою металу. Визначено температурну залежність лінії солідусу з боку надлишку металу та встановлено переважаючий тип дефектів на межі області гомогенності сполуки.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.334 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
10.

Фреїк Д. 
Точкові дефекти і механізми утворення термоелектричних твердих розчинів PbTe-Ві2Te3 [Електронний ресурс] / Д. Фреїк, Л. Туровська, В. Бойчук // Chemistry of metals and alloys. - 2012. - Vol. 5, № 1-2. - С. 77-83. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Khms_2012_5_1-2_14
Запропоновано квазіхімічні рівняння утворення точкових дефектів у легованих вісмутом плівках селеніду свинцю, вирощених із парової фази за різних температур осадження за умови насичення пари селеном. Експериментальні результати пояснено, виходячи з амфотерних властивостей легуючої домішки.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.277 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
11.

Фреїк Д. 
Термодинаміка власних точкових дефектів кадмій телуриду на межі області гомогенності [Електронний ресурс] / Д. Фреїк, І. Горічок, В. Прокопів // Chemistry of metals and alloys. - 2011. - Vol. 4, № 3-4. - С. 223-228. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Khms_2011_4_3-4_10
Використовуючи поняття термодинамічного потенціалу для характеристики кристала розраховано залежність концентрації електронів від температури у CdTe після відпалу у парі Cd у разі її максимального тиску. Розрахунок проведено для моделі домінування (МД) <$E {roman Cd} sub i sup 2+> і МД <$E V sub roman Te sup 2+>. Визначено температурну залежність ентальпії утворення домінуючого дефекту.За допомогою методу термодинамічних потенціалів проаналізовано домінуючі точкові дефекти, а також рівноважну концентрацію вільних носіїв заряду та ступінь відхилення від стехіометрії SnTe залежно від технологічних факторів двотемпературного відпалу - температури відпалу T і тиску пари халькогену PTe2. Розраховано енергії утворення моновакансій металу та халькогену.Проведено розрахунок концентрацій точкових дефектів і вільних носіїв заряду у металічній та напівпровідниковій фазі монокристалічного моносульфіду самарію, що знаходиться у рівновазі з парою металу. Визначено температурну залежність лінії солідусу з боку надлишку металу та встановлено переважаючий тип дефектів на межі області гомогенності сполуки.
Попередній перегляд:   Завантажити - 967.828 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
12.

Галущак М. О. 
Автоматизований комплекс для вимірювань термоелектричних параметрів напівпровідників [Електронний ресурс] / М. О. Галущак, Б. С. Дзундза, А. І. Ткачук, Д. М. Фреїк // Методи та прилади контролю якості. - 2013. - № 1. - С. 79-83 . - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/metody_2013_1_12
Попередній перегляд:   Завантажити - 2.756 Mb    Зміст випуску     Цитування
13.

Фреїк Д. 
Кристалохімічні моделі точкових дефектів у сполуках системи Pb–Cr–Te [Електронний ресурс] / Д. Фреїк, Л. Туровська, Л. Межиловська, В. Бойчук // Chemistry of metals and alloys. - 2010. - Vol. 3, № 1-2. - С. 29-34. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Khms_2010_3_1-2_9
На базі теорії квазіхімічних реакцій проаналізовано дефектний стан кристалів CdTe:Ge за умов високотемпературної рівноваги точкових дефектів з врахуванням обмеженої розчинності домішки германію. Одержано температурні залежності концентрації точкових дефектів, вільних носіїв заряду та розчинності германію в матеріалі. Теоретичний розрахунок достатньо добре узгоджується з експериментальними залежностями цих же величин для досліджуваного діапазону температур відпалу.
Попередній перегляд:   Завантажити - 427.006 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
14.

Фреїк Д. 
Точкові дефекти і зарядовий стан домішок у легованих рідкісноземельними металами кристалах плюмбум телуриду PbTe:Ln [Електронний ресурс] / Д. Фреїк, Л. Туровська, В. Бойчук // Chemistry of metals and alloys. - 2011. - Vol. 4, № 1-2. - С. 160-165. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Khms_2011_4_1-2_30
За допомогою методів квазіхімічного та кристалоквазіхімічного формалізмів, що враховують дво- <$E roman {V sub Sn sup 2-~(V sub Ge sup 2- )}> і чотиризарядні <$E roman {V sub Sn sup 4-~(V sub Ge sup 4- )}> вакансії металу, визначено залежності концентрації точкових дефектів і холлівської концентрації носіїв заряду від парціального тиску пари телуру <$E roman P sub Te sub 2> у разі двотемпературного відпалу, величини відхилення від стехіометричного складу SnTe (GeTe) і ступеня диспропорціювання зарядового стану вакансій металу. Встановлено, що якщо за низьких значень <$E roman P sub Te sub 2> і незначних відхилень від стехіометрії домінують <$E roman {V sub Sn sup 4-~(V sub Ge sup 4- )}>, то у разі їх зростання збільшується концентрація <$E roman {V sub Sn sup 2-~(V sub Ge sup 2- )}>.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.054 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
15.

Фреїк Д. 
Кристалохімія дефектів у легованих міддю і киснем кристаллах цинк халькогенідів [Електронний ресурс] / Д. Фреїк, Н. Сташко, Н. Фреїк, Л. Межиловська, Г. Гургула // Chemistry of metals and alloys. - 2009. - Vol. 2, № 3-4. - С. 170-176. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Khms_2009_2_3-4_11
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.197 Mb    Зміст випуску     Цитування
16.

Салій Я. П. 
Топологічні особливості парофазних наноструктур SnTe на поліаміді [Електронний ресурс] / Я. П. Салій, І. І. Чав’як, І. С. Биліна, Д. М. Фреїк // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 4. - С. 04020-1-04020-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_4_22
Наведено результати дослідження наноструктур на поверхні тонких плівок станум телуриду, осаджених з парової фази на підкладках поліаміду за методом відкритого випаровування у вакуумі. Комп'ютерний аналіз результатів атомно-силової мікроскопії виявив вплив технологічних факторів на особливості форм та поверхневої орієнтації наноострівців. Показано, що наноструктури різного розміру є куполоподібними з малим відношенням їх висоти до латерального діаметру. Встановлено слабку залежність симетрії острівців від технологічних факторів осадження.
Попередній перегляд:   Завантажити - 736.903 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
17.

Фреїк Д. М. 
Комірка для вимірювання термоелектричних параметрів напівпровідникових матеріалів [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, М. О. Галущак, А. І. Терлецький, Р. І. Запухляк, Н. І. Дикун, А. І. Ткачук // Методи та прилади контролю якості. - 2011. - Вип. 26. - С. 94-96. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/metody_2011_26_21
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.119 Mb    Зміст випуску     Цитування
18.

Галущак М. О. 
Метод вимірювання термоелектричної добротності напівпровідникових матеріалів [Електронний ресурс] / М. О. Галущак, Д. М. Фреїк, М. О. Карпаш, А. І. Ткачук // Методи та прилади контролю якості. - 2011. - Вип. 26. - С. 97-99. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/metody_2011_26_22
Попередній перегляд:   Завантажити - 206.637 Kb    Зміст випуску     Цитування
19.

Фреїк Д. М. 
Стаціонарний метод визначення термоелектричних параметрів напівпровідникових матеріалів [Електронний ресурс] / Д. М. Фреїк, М. О. Галущак, А. І. Терлецький, Р. І. Запухляк, Н. І. Дикун, А. І. Ткачук // Методи та прилади контролю якості. - 2010. - Вип. 25. - С. 92-96. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/metody_2010_25_19
Попередній перегляд:   Завантажити - 228.637 Kb    Зміст випуску     Цитування
20.

Галущак М. О. 
Аналіз методів визначення теплопровідності тонких плівок [Електронний ресурс] / М. О. Галущак, В. Г. Ральченко, Д. М. Фреїк, А. І. Ткачук // Методи та прилади контролю якості. - 2012. - № 1. - С. 162-167. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/metody_2012_1_23
Попередній перегляд:   Завантажити - 743.519 Kb    Зміст випуску     Цитування
...
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського