Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (2)Реферативна база даних (12)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>A=Охрименко О$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 8
Представлено документи з 1 до 8
1.

Охрименко О. Б. 
Оценка автоэмиссионных свойств наноструктур на основе карбида кремния и графена [Електронний ресурс] / О. Б. Охрименко, Р. В. Конакова, А. М. Светличный, О. Б. Спиридонов, Е. Ю. Волков // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2012. - Т. 10, Вип. 2. - С. 335-342. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nano_2012_10_2_10
Выполнена оценка автоэмиссионных свойств катода, представляющего собой структуру, изготовленную в виде острия из карбида кремния, покрытого тонкой пленкой графена. Рассчитаны вольтамперные характеристики для катодного острия, изготовленного из графена и карбида кремния. Показано, что при одинаковой разности потенциалов ток автоэмиссии больше для катода, сделанного из графена. Оценка показывает, что автоэмиссионные острия на основе графена обладают лучшими эмиссионными характеристиками и их можно использовать в современных приборах наноэлектроники.
Попередній перегляд:   Завантажити - 273.732 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Конакова Р. В. 
Автоэмиссионные свойства острийных катодов на основе пленок графена на SiC [Електронний ресурс] / Р. В. Конакова, О. Б. Охрименко, А. Ф. Коломыс, В. В. Стрельчук, А. М. Светличный, О. А. Агеев, Е. Ю. Волков, А. С. Коломийцев, И. Л. Житяев, О. Б. Спиридонов // Сверхтвердые материалы. - 2016. - № 4. - С. 23-29. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/sm_2016_4_4
Рассмотрены электрические свойства низкопороговых автоэмиссионных катодов, сформированных путем выращивания нанокластерных пленок графена на острийной поверхности сильнолегированного n+SiC методом сублимационной эпитаксии. Качество графенового покрытия оценено на основании морфологических исследований и спектроскопии комбинационного рассеяния света. На основе вольтамперной характеристики рассчитана работа выхода (~ 0,76 эВ) из острийного катода с графеновым покрытием. Такое низкое значение работы выхода объяснено в рамках предположения о нанокластерной природе пленки графена и тем, что источником автоэмиссии являются нанокластеры графена.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.562 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Будзуляк С. И. 
Влияние СВЧ-облучения на спектры фотолюминесценции монокристаллов CdTe: Cl при Т = 2k [Електронний ресурс] / С. И. Будзуляк, Н. Д. Вахняк, Л. А. Демчина, Д. В. Корбутяк, Р. В. Конакова, А. П. Лоцько, О. Б. Охрименко, Р. А. Редько, Н. И. Березовская, Ю. В. Быков // Журнал фізики та інженерії поверхні. - 2016. - Т. 1, № 2. - С. 128-134. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jsphen_2016_1_2_3
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.12 Mb    Зміст випуску     Цитування
4.

Іщенко О. Л. 
Удосконалення організаційно-технологічних рішень відновлення інженерних мереж діючих промислових підприємств [Електронний ресурс] / О. Л. Іщенко, І. В. Доненко, О. В. Охрименко // Вісник Придніпровської державної академії будівництва та архітектури. - 2019. - № 5. - С. 43-48. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vpabia_2019_5_8
Попередній перегляд:   Завантажити - 252.465 Kb    Зміст випуску     Цитування
5.

Дехтярук М. Т. 
Аналіз похибок позиціонування наземних об'єктів засобами супутникової навігації [Електронний ресурс] / М. Т. Дехтярук, В. М. Черевик, О. В. Охрименко // Зв'язок. - 2019. - № 5. - С. 3-7. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Zvjazok_2019_5_3
Проведено аналіз сучасних супутникових навігаційних систем, що використовуються для позиціонування різних наземних об'єктів. Проаналізовані основні джерела помилок, що вносять похибки в обчислення точності навігаційних повідомлень у системі GPS. Показано, що основними джерелами помилок, які впливають на точність навігаційних обчислень в GPS-системах, є: похибки, пов'язані з поширенням радіохвиль в іоносфері та тропосфері; помилки обумовлені розбіжністю між фактичним становищем GPS-супутника і його розрахунковим становищем та ін. Пропонуються деякі рекомендації по усуненню похибок позиціонування.Проведено аналіз сучасних супутникових навігаційних систем, що використовуються для позиціонування різних наземних об'єктів. Проаналізовані основні джерела помилок, що вносять похибки в обчислення точності навігаційних повідомлень у системі GPS. Показано, що основними джерелами помилок, які впливають на точність навігаційних обчислень в GPS-системах, є: похибки, пов'язані з поширенням радіохвиль в іоносфері та тропосфері; помилки обумовлені розбіжністю між фактичним становищем GPS-супутника і його розрахунковим становищем та ін. Пропонуються деякі рекомендації по усуненню похибок позиціонування.
Попередній перегляд:   Завантажити - 2.593 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Іщенко О. С. 
Визначення структури будівельної технології через систему організаційних та технологічних параметрів висотного будівництва [Електронний ресурс] / О. С. Іщенко, В. І. Доненко, О. В. Охрименко // Шляхи підвищення ефективності будівництва в умовах формування ринкових відносин. - 2019. - Вип. 39(1). - С. 109-114. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/shpebfrv_2019_39(1)__20
Попередній перегляд:   Завантажити - 450.34 Kb    Зміст випуску     Цитування
7.

Белая Т. А. 
Формирование устойчивой мотивации к изучению химии как средства углубления знаний [Електронний ресурс] / Т. А. Белая, Е. В. Ляшенко, О. В. Охрименко // Інноваційна педагогіка. - 2019. - Вип. 18(1). - С. 13-17. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/innped_2019_18(1)__4
Попередній перегляд:   Завантажити - 170.239 Kb    Зміст випуску     Цитування
8.

Охрименко О. Б. 
Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор) [Електронний ресурс] / О. Б. Охрименко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2012. - Вып. 47. - С. 24-39. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2012_47_3
Систематизированы литературные данные по свойствам por-SiC, рассмотрены особенности формирования структуры SiC/por-SiC/TiO2, где пористый карбид используется в качестве буферного слоя между оксидной пленкой TiO2 и подложкой карбида кремния. Рассмотрены также особенности морфологии, элементного состава, фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света в структурах SiC/por-SiC/TiO2.
Попередній перегляд:   Завантажити - 381.448 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського