Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
у знайденому
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (5)Журнали та продовжувані видання (1)Реферативна база даних (48)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>A=Литовченко П$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 27
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Литовченко П. 
Творець детекторів елементарних частинок [Електронний ресурс] / П. Литовченко, В. Козирський, А. Негрійко, В. Шендеровський // Вісник Національної академії наук України. - 2010. - № 12. - С. 88-89. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vnanu_2010_12_13
Попередній перегляд:   Завантажити - 193.724 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Сало В. А. 
Расчет напряженно-деформированного состояния оболочечных элементов конструкций и оценка достоверности результатов [Електронний ресурс] / В. А. Сало, П. И. Литовченко // Вопросы проектирования и производства конструкций летательных аппаратов. - 2010. - Вып. 2. - С. 7-14. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Pptvk_2010_2_3
Предложен алгоритм двусторонней оценки точности приближенных решений смешанных вариационных задач при исследовании пространственного напряженно-деформированного состояния статически нагруженных упругих оболочек произвольной толщины с помощью научно обоснованного и универсального численно-аналитического RVR-метода. Используемый RVR-метод основан на общих уравнениях трехмерной теории упругости, вариационном принципе Рейсснера, теории R-функций, методе И. Н. Векуа и апостериорной интегральной оценке точности численных решений краевых задач. Эффективность RVR-метода показана на конкретных примерах.
Попередній перегляд:   Завантажити - 218.33 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Вишневський І. М. 
Комп'ютерне моделювання структурних пошкоджень у монокристалах фосфіду галію [Електронний ресурс] / І. М. Вишневський, О. М. Гонтарук, О. В. Конорева, П. Г. Литовченко, В. С. Манжара, М. Б. Пінковська, В. П. Тартачник // Доповiдi Національної академії наук України. - 2012. - № 3. - С. 92-98. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2012_3_17
Зазначено, що сучасні методи комп'ютерного моделювання надають змогу розрахувати енергії утворення різноманітних дефектів гратки та досліджувати вплив на них зовнішніх факторів. Застосовано метод молекулярної динаміки для визначення основних параметрів, що характеризують радіаційні пошкодження у кристалах фосфіду галію: порогової енергії утворення дефекту <$E E sub d>, енергії утворення вакансії, дивакансії, вакансійних пустот, атомів проникнення та антиструктурних дефектів. Одночасно з експериментальних даних, одержаних на опромінених електронами кристалах GaP, визначено величини порогових енергій зміщення атомів Ga та P: за зміною початкової швидкості видалення носіїв <$E (dn "/" d PHI ) sub {PHI symbol О 0}> і падінням інтенсивності випромінювання зв'язаного екситону. Одержані значення <$E E sub d> корелюють із даними комп'ютерного моделювання.
Попередній перегляд:   Завантажити - 253.178 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Вишневський І. М. 
Вплив нейтронного опромінення на вольтамперні характеристики фосфідо-галієвих світлодіодів [Електронний ресурс] / І. М. Вишневський, О. В. Конорева, В. І. Кочкін, В. Ф. Ластовецький, П. Г. Литовченко, В. Я. Опилат, В. П. Тартачник // Доповiдi Національної академії наук України. - 2010. - № 6. - С. 69-74. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2010_6_14
Досліджено вплив опромінення швидкими нейтронами реактора (<$E E Bar> = 1 МеВ) на вольтамперні характеристики (ВАХ) фосфідо-галієвих світлодіодів. Виявлено зсув додатних гілок ВАХ в область менших напруг за малих доз опромінення та невеликих робочих струмів. Установлено, що зростання диференційного опору за великих доз зумовлено збільшенням опору бази. В основі механізму, який спричиняє спостережувані зміни, є падіння часу життя неосновних носіїв струму та захват основних носіїв глибокими рівнями введених радіацією дефектів.
Попередній перегляд:   Завантажити - 201.223 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Конорева О. В. 
Особливості струмових нестабільностей фосфідо-галієвих світлодіодів, опромінених нейтронами [Електронний ресурс] / О. В. Конорева, В. Ф. Ластовецький, П. Г. Литовченко, В. Я. Опилат, Ю. Г. Гришин, І. В. Петренко, М. Б. Пінковська, В. П. Тартачник // Доповiдi Національної академії наук України. - 2008. - № 3. - С. 71-76. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2008_3_16
GaP LEDs with atypical current characteristics are studied by optical and electrical methods. The thin structure of an S-shaped NDR region which appears in the current-voltage characteristics at low temperatures (100 - 77 K) after irradiation has become more expressive and possesses the higher oscillation amplitude. The high destructive influence of fast neutrons on the emitting recombination is caused by two factors: the electrical fields of radiation defects and the capture of charged carriers by their levels.
Попередній перегляд:   Завантажити - 233.184 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Литовченко П. А. 
Форма тела закрепления в песке буроинъекционной сваи с локальным закриплением в грунте при действии горизонтальной нагрузки [Електронний ресурс] / П. А. Литовченко, Б. В. Барано // Збірник наукових праць [Полтавського національного технічного університету ім. Ю. Кондратюка]. Сер. : Галузеве машинобудування, будівництво. - 2013. - Вип. 3(1). - С. 243-249. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Znpgmb_2013_3(1)__36
Попередній перегляд:   Завантажити - 2.574 Mb    Зміст випуску     Цитування
7.

Литовченко П. А. 
Оценка несущей способности буроинъекционной сваи с локальным закреплением в грунте при действии горизонтальной нагрузки [Електронний ресурс] / П. А. Литовченко, Т. В. Ищенко // Збірник наукових праць [Полтавського національного технічного університету ім. Ю. Кондратюка]. Сер. : Галузеве машинобудування, будівництво. - 2013. - Вип. 3(1). - С. 243-249. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Znpgmb_2013_3(1)__37
Попередній перегляд:   Завантажити - 2.179 Mb    Зміст випуску     Цитування
8.

Литовченко П. В. 
Ресурси та ресурсний потенціал комунального господарства [Електронний ресурс] / П. В. Литовченко // Наукові записки Львівського університету бізнесу та права. - 2013. - Вип. 10. - С. 107-110. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nzlubp_2013_10_26
Попередній перегляд:   Завантажити - 181.834 Kb    Зміст випуску     Цитування
9.

Конорева О. В. 
Поверхневий розподіл інтенсивності свічення фосфід-галієвих світлодіодів [Електронний ресурс] / О. В. Конорева, П. Г. Литовченко, Є. В. Малий, І. В. Петренко, М. Б. Пінковська, В. П. Тартачник, В. В. Шлапацька // Ядерна фізика та енергетика. - 2013. - Т. 14, № 2. - С. 158-162. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/yadf_2013_14_2_10
Досліджено мікроплазмові пробої червоних і зелених діодів GaP. Виявлено, що на початку пробою основний внесок у зворотний струм створює тунельна компонента; лавинна складова відіграє основну роль за великих пробійних струмів. Спектр мікроплазми розглянуто як результат накладання випромінювання гарячих носіїв і рекомбінаційного випромінювання домішковий рівень - валентна зона. Введення радіаційних дефектів електронами з E = 2 МеВ сприяє зменшенню числа мікроплазм.
Попередній перегляд:   Завантажити - 461.925 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
10.

Дружинін А. О. 
Вплив протонного опромінення на властивості легованих НК Si1-xGex р-типу [Електронний ресурс] / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, П. Г. Литовченко, Н. Т. Павловська, Ю. В. Павловський, Р. М. Корецький. // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_3_9
Вивчено вплив протонного опромінення з енергією 6,8 МеВ і дозами до <$E 1~times~10 sup 17> р<^>+/см<^>-2 і відпалу за температур <$E 100~-~300~symbol Р roman C> на електропровідність ниткоподібних кристалів Si1-xGex (x = 0,03) з концентрацією домішок поблизу переходу метал - діелектрик в інтервалі температур 4,2 - 300 K у магнітних полях з індукцією до 14 Тл. Встановлено, що опромінення дозою <$E 5~times~10 sup 15> р<^>+/см<^>-2 практично не змінює провідності кристалів, тоді як опромінення дозою <$E 1~times~10 sup 16> р<^>+/см<^>-2 і відпал призводить до істотного зменшення опору та зміни магнетоопору НК Si1-xGex в інтервалі температур 4,2 - 40 K. Одержані результати пояснено в межах аналізу стрибкової провідності по домішковій зоні у кристалах.
Попередній перегляд:   Завантажити - 108.105 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
11.

Гроза А. А. 
Вплив нейтронного опромінення та термообробки на виникнення ефекту самоорганізації, Франца-Келдиша та квантово-розмірного ефектів у монокристалічному кремнії [Електронний ресурс] / А. А. Гроза, П. Г. Литовченко, Л. О Матвеєва, П. Л. Нелюба, М. Б. Пінковська, М. І. Старчик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 1. - С. 40-45. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_1_7
За допомогою методу модуляційної спектроскопії електровідбивання (ЕВ) світла в області 3 - 3,8 еВ досліджено вплив опромінення швидкими нейтронами, ізотермічного відпалу та хімічного поліруючого травлення на оптичні та електронні параметри, а також внутрішні механічні напруження збагаченого киснем кремнію. Виявлено умови виникнення ефекту Франца - Келдиша, квантово-розмірного ефекту та гетерування поверхнею радіаційних дефектів. Визначено енергію електронного переходу (ширину забороненої зони), розсіяння носіїв заряду та час їх енергетичної релаксації, електрооптичну енергію, вбудоване електричне поле, енергії квантованих рівнів і ширину поверхневої квантової ями залежно від обробки зразків. Показано, що за великих флюенсів опромінення відбувається зміна знаку сигналу ЕВ і його розщеплення з зсувом максимумів у протилежні боки у порівнянні з вихідним зразком. Ефект великих доз пояснюється процесом самоорганізації власних радіаційних дефектів різного типу (вакансійного і міжвузловинного) шляхом виникнення відокремлених областей радіаційного розупорядкування з різними знаками механічних напружень. Обговорено механізми переносу носіїв заряду та особливості зонної структури нейтронно опроміненого кремнію.
Попередній перегляд:   Завантажити - 199.925 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
12.

Власенко О. І. 
Вплив нейтронного опромінення на характеристики потужних InGaN/GaN світлодіодів [Електронний ресурс] / О. І. Власенко, В. П. Велещук, З. К. Власенко, М. П. Киселюк, П. Г. Литовченко, І. В. Петренко, В. П. Тартачник, М. Б. Пінковська // Ядерна фізика та енергетика. - 2015. - Т. 16, № 4. - С. 362-366. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/yadf_2015_16_4_8
Вивчено вплив потоку швидких нейтронів реактора (E = 2 МеВ, PHI = 2x10¹⁴ н/см²) на вольтамперні та вольтфарадні характеристики, інтенсивність електролюмінесценції потужних InGaN/GaN світлодіодів на кремнієво-вуглецевій підкладинці та кремнієвій підкладинці із золото-олов'яним контактом. Виявлено, що величина та знак зміни тунельних струмів після радіаційного опромінення у світловипромінювальних InGaN/GaN гетероструктурах суттєво залежить від підкладинки.
Попередній перегляд:   Завантажити - 762.743 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
13.

Литовченко П. А. 
Создание численной модели трёхслойных сборно-монолитных железобетонных панелей в пк лира и её характеристики [Електронний ресурс] / П. А. Литовченко, Н. И. Глушаков // Строительство. Материаловедение. Машиностроение. Серия : Инновационные технологии жизненного цикла объектов жилищно-гражданского, промышленного и транспортного назначения. - 2009. - Вып. 50. - С. 306-315. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/smmit_2009_50_54
Попередній перегляд:   Завантажити - 510.382 Kb    Зміст випуску     Цитування
14.

Литовченко П. А. 
Особенности работы облегчённых трёхслойных сборно-монолитных железобетонных панелей при изгибе [Електронний ресурс] / П. А. Литовченко, Н. И. Глушаков // Строительство. Материаловедение. Машиностроение. Серия : Инновационные технологии жизненного цикла объектов жилищно-гражданского, промышленного и транспортного назначения. - 2009. - Вып. 50. - С. 315-321. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/smmit_2009_50_55
Попередній перегляд:   Завантажити - 378.22 Kb    Зміст випуску     Цитування
15.

Литовченко П. А. 
Применение трёхслойных железобетонных панелей в малоэтажном строительстве [Електронний ресурс] / П. А. Литовченко, Н. И. Глушаков, С. П. Литовченко // Строительство. Материаловедение. Машиностроение. Серия : Инновационные технологии жизненного цикла объектов жилищно-гражданского, промышленного и транспортного назначения. - 2012. - Вып. 65. - С. 338-344. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/smmit_2012_65_56
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.965 Mb    Зміст випуску     Цитування
16.

Попов А. В. 
Применение буро-инъекционной технологии при защите от обрушения склона в г. Алуште [Електронний ресурс] / А. В. Попов, Н. Н. Тельних, Е. Г. Цаплин, П. А. Литовченко, А. Н. Коротков // Строительство. Материаловедение. Машиностроение. Серия : Инновационные технологии жизненного цикла объектов жилищно-гражданского, промышленного и транспортного назначения. - 2012. - Вып. 65. - С. 476-482. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/smmit_2012_65_80
Попередній перегляд:   Завантажити - 2.615 Mb    Зміст випуску     Цитування
17.

Литовченко П. А. 
Численное моделирование взаимодействия буроинъекционной сваи с локальнымзакреплением в грунте и окружающего ее грунтового массива [Електронний ресурс] / П. А. Литовченко, Т. В. Ищенко // Строительство. Материаловедение. Машиностроение. Серия : Инновационные технологии жизненного цикла объектов жилищно-гражданского, промышленного и транспортного назначения. - 2013. - Вып. 69. - С. 322-327. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/smmit_2013_69_52
Попередній перегляд:   Завантажити - 751.22 Kb    Зміст випуску     Цитування
18.

Конорева О. В. 
Електрофізичні характеристики вихідних та опромінених світлодіодів GаAsP [Електронний ресурс] / О. В. Конорева, П. Г. Литовченко, О. І. Радкевич, В. М. Попов, В. П. Тартачник, В. В. Шлапацька // Ядерна фізика та енергетика. - 2019. - Т. 20, № 2. - С. 164-169. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/yadf_2019_20_2_9
Досліджено світлодіоди, вирощені на основі твердих розчинів GaAsP. За низьких температур T <<= 130 K виявлено ділянки від'ємного диференційного опору. Опромінення електронами (E = 2 МеВ) призводить до зростання диференційного опору діодів, зміни контактної різниці потенціалів та падіння інтенсивності випромінювання. Виявлені ефекти зумовлені впливом глибоких рівнів радіаційних дефектів і поверхневих станів, активізованих високими рівнями іонізаційного збудження, властивого електронному опроміненню.
Попередній перегляд:   Завантажити - 538.874 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
19.

Цмоць В. М. 
Дослідження магнітних, мікромеханічних та структурних змін у кристалах кремнію з ізовалентними домішками після їх термообробки в області 700–1100°C [Електронний ресурс] / В. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, Ю. В. Павловський, В. В. Войтович, M. M. Лучкевич // Журнал фізичних досліджень. - 2008. - Т. 12, Число 4. - С. 4002-1-4002-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jphd_2008_12_4_4
Попередній перегляд:   Завантажити - 804.401 Kb    Зміст випуску     Цитування
20.

Новиков М. М. 
Вплив високотемпературної обробки на структурні та магнетні зміни в кристалах кремнію [Електронний ресурс] / М. М. Новиков, Б. Д. Пацай, В. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, Ю. В. Павловський, M. M. Лучкевич // Журнал фізичних досліджень. - 2005. - Т. 9, Число 4. - С. 319-324. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jphd_2005_9_4_6
Попередній перегляд:   Завантажити - 354.427 Kb    Зміст випуску     Цитування
...
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського