Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (6)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Леновенко А$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 5
Представлено документи з 1 до 5
1.

Леновенко А. 
Вимірювальний комплекс для калібрування, перевірки і атестації засобів вимірювання температури на базі еталонного ядерно-квадрупольного термометра першого розряду ЯКРТ-5М [Електронний ресурс] / А. Леновенко, Б. Стадник, П. Столярчук, В. Паракуда, Н. Ковальчук // Вимірювальна техніка та метрологія . - 2013. - Вип. 74. - С. 127-131. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/metrolog_2013_74_28
На базі ядерно-квадрупольного термометра ЯКРТ-5М розроблено автоматизований вимірювальний комплекс для калібрування, перевірки й атестації засобів вимірювання температури з високою точністю. Він надає змогу у 10 і більше разів підвищити продуктивність праці під час виконання метрологічних робіт.
Попередній перегляд:   Завантажити - 643.21 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Павлик Б. 
Вибір робочої точки напівпровідникового сенсора температури [Електронний ресурс] / Б. Павлик, А. Грипа, А. Леновенко, Р. Дідик, Р. Лис, Д. Слободзян, Й. Шикоряк, М. Кушлик // Електроніка та інформаційні технології. - 2014. - Вип. 4. - С. 88-94. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Telt_2014_4_11
Попередній перегляд:   Завантажити - 258.33 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Павлик Б. В. 
Дослідження стабільності параметрів транзисторних термосенсорів під дією рентгенівського опромінення та магнітного поля [Електронний ресурс] / Б. В. Павлик, А. М. Леновенко, А. С. Грипа // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2013. - Т. 10, № 2. - С. 94-101. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2013_10_2_12
Надано параметри, яким повинні відповідати кремнієві транзистори, придатні для використання в термометрії. Досліджено вплив рентгенівського опромінення (X-променів) і слабких магнітних полів на електрофізичні характеристики термосенсорів на базі p - n-переходу транзистора 2Т363А. З аналізу змін вольтамперних (ВАХ) і вольтфарадних характеристик показано, що на початковій стадії рентгенівського опромінення спостерігається збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду та незначне зменшення величини прямого струму ВАХ, що можна пояснити ефектом руйнування метастабільних структурних дефектів бази транзистора. Зовнішнє магнітне поле (B = 0,17 Тл) практично не змінює ефективності рекомбінаційних процесів в ОПЗ, але проявляє вплив на дифузійну компоненту прямого струму через p - n-перехід. Дія рентгенівських променів (D << 325 Гр) і магнітних полів (експозиція до 15 год) практично не змінила вольттемпературні характеристики, з чого можна зробити висновок про стабільність робочих характеристик за вищезгаданих умов.Неведено параметри, яким повинні відповідати кремнієві транзистори, придатні для використання в термометрії. Досліджено вплив рентгенівського опромінення (Х-променів) та слабких магнітних полів на електрофізичні характеристики термосенсорів на базі p - n-переходу транзистора 2Т363А. З аналізу змін вольтамперних (ВАХ) та вольтфарадних характеристик показано, що на початковій стадії рентгенівського опромінення спостерігається збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду і незначне зменшення величини прямого струму ВАХ, що можна пояснити ефектом руйнування метастабільних структурних дефектів бази транзистора. Зовнішнє магнітне поле (В = 0,17 Тл) практично не змінює ефективності рекомбінаційних процесів в ОПЗ, але впливає на дифузійну компоненту прямого струму через p - n-перехід. Дія рентгенівських променів (D << 325 Гр) і магнітних полів (експозиція до 15 годин) практично не змінила вольт-температурні характеристики, з чого можна зробити висновок про стабільність робочих характеристик за вищезгаданих умов.
Попередній перегляд:   Завантажити - 683.189 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Павлик Б. В. 
Дослідження стабільності параметрів транзисторних термосенсорів під дією рентгенівського опромінення та магнітного поля [Електронний ресурс] / Б. В. Павлик, А. М. Леновенко, А. С. Грипа // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 3. - С. 802-807. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_3_44
Надано параметри, яким повинні відповідати кремнієві транзистори, придатні для використання в термометрії. Досліджено вплив рентгенівського опромінення (X-променів) і слабких магнітних полів на електрофізичні характеристики термосенсорів на базі p - n-переходу транзистора 2Т363А. З аналізу змін вольтамперних (ВАХ) і вольтфарадних характеристик показано, що на початковій стадії рентгенівського опромінення спостерігається збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду та незначне зменшення величини прямого струму ВАХ, що можна пояснити ефектом руйнування метастабільних структурних дефектів бази транзистора. Зовнішнє магнітне поле (B = 0,17 Тл) практично не змінює ефективності рекомбінаційних процесів в ОПЗ, але проявляє вплив на дифузійну компоненту прямого струму через p - n-перехід. Дія рентгенівських променів (D << 325 Гр) і магнітних полів (експозиція до 15 год) практично не змінила вольттемпературні характеристики, з чого можна зробити висновок про стабільність робочих характеристик за вищезгаданих умов.Неведено параметри, яким повинні відповідати кремнієві транзистори, придатні для використання в термометрії. Досліджено вплив рентгенівського опромінення (Х-променів) та слабких магнітних полів на електрофізичні характеристики термосенсорів на базі p - n-переходу транзистора 2Т363А. З аналізу змін вольтамперних (ВАХ) та вольтфарадних характеристик показано, що на початковій стадії рентгенівського опромінення спостерігається збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду і незначне зменшення величини прямого струму ВАХ, що можна пояснити ефектом руйнування метастабільних структурних дефектів бази транзистора. Зовнішнє магнітне поле (В = 0,17 Тл) практично не змінює ефективності рекомбінаційних процесів в ОПЗ, але впливає на дифузійну компоненту прямого струму через p - n-перехід. Дія рентгенівських променів (D << 325 Гр) і магнітних полів (експозиція до 15 годин) практично не змінила вольт-температурні характеристики, з чого можна зробити висновок про стабільність робочих характеристик за вищезгаданих умов.
Попередній перегляд:   Завантажити - 237.637 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Карпенко В. Д. 
Современное состояние и перспективы ядерно-квадрупольной резонансной термометрии Украины [Електронний ресурс] / В. Д. Карпенко, Н. О. Ковальчук, А. М. Леновенко, С. Д. Солод, А. Г. Суворов // Космическая техника. Ракетное вооружение. - 2017. - Вып. 2. - С. 146-150. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ktrv_2017_2_28
Попередній перегляд:   Завантажити - 545.338 Kb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського