Наукова періодика України - НБУВ Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського

Простий
пошук

Розширений
пошук

Покажчики

Професійний
пошук

Рубрикатор
НБУВ

Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Наукова періодика України

Тематичний навігатор

Авторитетний файл імен осіб

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

Повнотекстовий пошук

Знайдено в інших БД:

Книжкові видання та компакт-диски (2)

Реферативна база даних (13)

Список видань за алфавітом назв:

A B C D E F G H I J L M N O P R S T U V W

А Б В Г Ґ Д Е Є Ж З И І К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я

Авторський покажчик Покажчик назв публікацій

Пошуковий запит: (<.>A=Кудринський З$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 17 Представлено документи з 1 до 17
1.	Катеринчук В. М. Температурна динаміка спектрів поляризаційної чутливості гетеропереходів власний оксид–p-InSe [Електронний ресурс] / В. М. Катеринчук, З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2013. - Т. 10, № 4. - С. 93-96. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2013_10_4_9 Досліджено температурну залежність коефіцієнта фотоплеохроїзму для гетеропереходу власний оксид - р-InSe. Зареєстровано різну температурну залежність зсуву довгохвильового краю фотоструму для двох орієнтацій поляризації: Е \|\| С і Е <$E symbol <94>> С. Попередній перегляд: Завантажити - 781.499 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
2.	Ковалюк З. Д. Фоточутливі гетеропереходи n-In2O3 / p-InSe з наноструктурованою поверхнею фронтального шару [Електронний ресурс] / З. Д. Ковалюк, В. М. Катеринчук, З. Р. Кудринський, О. С.. Литвин // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т. 5, № 3(2). - С. 03027-1-03027-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2013_5_3(2)__3 Попередній перегляд: Завантажити - 353.248 Kb Зміст випуску Цитування
3.	Кудринський З. Р. Нанокомпозитний матеріал на основі шаруватих кристалів GaSe та InSe, інтеркальованих сегнетоелектриком RbNO3 [Електронний ресурс] / З. Р. Кудринський, В. В. Нетяга // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т. 5, № 3(2). - С. 03028-1-03028-7. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2013_5_3(2)__4 Вперше встановлено, що монокристалічні зразки моноселенідів галію GaSe та індію InSe можуть бути інтеркальовані молекулами сегнетоелектричної солі нітрату рубідію RbNO₃. Досліджено кінетику процесу інтеркаляції в різних температурно-часових режимах. За допомогою методу рентгеноструктурного аналізу досліджено структурні властивості інтеркалатних нанокомпозитів. Досліджувані структури можна представити як композиційні надіратки, які складаються з гратки анізотропного шаруватого напівпровідника з вбудованими в неї шарами сегнетоелектрика. Встановлено, що нано-композитний матеріал GaSe 3> має властивості нагромадження електричної енергії. Енергонагромаджувальні властивості пов'язуються з поляризацією інтеркальованого сегнетоелектрика під дією зовнішнього електричного поля. На основі нанокомпозитного матеріалу GaSe 3> створено твердотільний накопичувач електричної енергії. Попередній перегляд: Завантажити - 653.746 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
4.	Кудринський З. Р. Вплив низькотемпературного відпалу на властивості гетеропереходів p-In Se–n-In2O3 [Електронний ресурс] / З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2012. - № 1(5). - С. 25-28. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2012_1(5)__8 Досліджено вплив температурного відпалу на властивості гетеропереходів p-InSe - n-In2O3. Для середньостатистичних структур з Uxx = 0,25 В і Iкз = 250 мкА спостерігається покращання Uxx на 48 %, Iкз на 44 %. Попередній перегляд: Завантажити - 477.946 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
5.	Кудринський З. Р. Інтеркальовані шаруваті кристали InSe, GaSe і Bi2Te3 та чутливі елементи перетворювачів тиску на їх основі [Електронний ресурс] / З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2013. - Т. 10, № 2. - С. 62-67. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2013_10_2_7 Показано принципову можливість використання шаруватих напівпровідникових кристалів InSe, GaSe і Bi2Te3 як чутливих елементів для перетворювачів тиску. Запропоновано два способи вимірювання тиску на основі шаруватих кристалів: по залежності параметра (струму) інтеркаляції від тиску і по залежності електрорушійної сили інтеркалата від тиску. Попередній перегляд: Завантажити - 516.526 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
6.	Катеринчук В. М. Властивості анізотипних гетеропереходів n-CdO–p-InSe [Електронний ресурс] / В. М. Катеринчук, З. Р. Кудринський, В. В. Хомяк, І. Г. Орлецький, В. В. Нетяга // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 1. - С. 218-221. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_1_37 Попередній перегляд: Завантажити - 180.531 Kb Зміст випуску Цитування
7.	Кушнір Б. В. Топологія поверхні тонкої оксидної плівки ZnO, сформованої на поверхні шаруватого кристалу GaSe [Електронний ресурс] / Б. В. Кушнір, З. Р. Кудринський, В. М. Камінський, В. В. Хомяк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 4. - С. 763-766. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_4_15 За допомогою методу магнетронного напилення створено гетероструктуру n-ZnO - p-GaSe. Досліджено топологію поверхні тонкої оксидної плівки ZnO, що сформована на свіжосколотій поверхні шаруватого кристалу GaSe; встановлено область спектральної чутливості. Показано, що плівка ZnO має гексагональну структуру. За допомогою методу АСМ-зображень встановлено, що тонка оксидна плівка ZnO має зернисту структуру; виявлено багаточисленні канали, що свідчать про складний характер змочування підкладки оксидом цинку. Попередній перегляд: Завантажити - 577.713 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
8.	Ковалюк З. Д. Топологія поверхні тонкої оксидної плівки ZnCdO гетеропереходу n-ZnCdO - p-GaSe [Електронний ресурс] / З. Д. Ковалюк, В. М. Катеринчук, З. Р. Кудринський, Б. В. Кушнір, В. В. Хомяк // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2015. - Т. 12, № 2. - С. 78-81. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2015_12_2_11 Методом високочастотного магнетронного напилення вперше створено гетероструктуру n-Zn0,5Cd0,5O - p-GaSe. Досліджено топологію поверхні тонкої оксидної плівки Zn0,5Cd0,5O, що сформована на свіжосколотій ван-дер-ваальсовій поверхні шаруватого кристалу GaSe. Встановлена область спектральної чутливості гетероструктури. Методом АСМ-зображень виявлено, що в плівці Zn0,5Cd0,5O формуються наскрізні канали різної топології і розмірів, які істотно впливають на шунтуючі опори гетеропереходу. Попередній перегляд: Завантажити - 759.298 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
9.	Боледзюк В. Б. Феромагнетизм при кімнатній температурі в шаруватих напівпровідникових кристалах InTe, інтеркальованих кобальтом [Електронний ресурс] / В. Б. Боледзюк, З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк, А. Д. Шевченко // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 1. - С. 01027-1-01027-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_1_29 Досліджено магнітні властивості шаруватих кристалів CoxInTe, інтеркальованих кобальтом електрохімічним способом в постійному градієнтному магнітному полі, а також морфологію ван-дер-ваальсівських поверхонь шарів цих кристалів. Встановлено, що в досліджуваних інтеркалатах на ван-дер-ваальсівських площинах міжшарового простору відбувається формування кластерів домішки, які складаються з наночастинок кобальту. В досліджуваних інтеркалатах CoxInTe за кімнатної температури виявлено магнітні властивості, характерні для магнітотвердих феромагнітних матеріалів. Попередній перегляд: Завантажити - 297.932 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
10.	Катеринчук В. М. Фоточутлива гетероструктура GaTe — наноструктурований діелектрик — InSe [Електронний ресурс] / В. М. Катеринчук, Б. В. Кушнір, З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк, О. С. Литвин // International scientific journal. - 2016. - № 4(2). - С. 14-18. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/mnj_2016_4(2)__5 Попередній перегляд: Завантажити - 848.074 Kb Зміст випуску Цитування
11.	Кудринський З. Р. Структура окислених і неокислених поверхонь шаруватих кристалів InTe [Електронний ресурс] / З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк, В. М. Катеринчук, Р. Л. Поцілуйко // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 4. - С. 04049-1-04049-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_4_51 Попередній перегляд: Завантажити - 352.574 Kb Зміст випуску Цитування
12.	Бахтінов А. П. Фізичні властивості композитних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпровідника p-GaSe і нанорозмірних тривимірних включень сегнетоелектрика KNO3 [Електронний ресурс] / А. П. Бахтінов, В. М. Водоп’янов, З. Д. Ковалюк, З. Р. Кудринський, В. В. Нетяга // Фізична інженерія поверхні. - 2012. - Т. 10, № 4. - С. 350-359. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Phip_2012_10_4_6 Попередній перегляд: Завантажити - 291.742 Kb Зміст випуску Цитування
13.	Бахтінов А. П. Самоорганізація магнітних наноструктур на поверхні шарів шаруватих кристалів In2Se3, інтеркальованих кобальтом [Електронний ресурс] / А. П. Бахтінов, В. Б. Боледзюк, З. Д. Ковалюк, З. Р. Кудринський, О. С. Литвин, А. Д. Шевченко // Фізична інженерія поверхні. - 2013. - Т. 11, № 1. - С. 78-90. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Phip_2013_11_1_9 Попередній перегляд: Завантажити - 410.631 Kb Зміст випуску Цитування
14.	Кудринський З. Р. Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe та GaSe [Електронний ресурс] / З. Р. Кудринський // Фізична інженерія поверхні. - 2013. - Т. 11, № 2. - С. 185-190. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Phip_2013_11_2_6 Попередній перегляд: Завантажити - 360.898 Kb Зміст випуску Цитування
15.	Бахтінов А. П. Властивості гібридних структур, вирощених на основі нанокомпозиту (Ni-C) на ван-дер-ваальсовій поверхні (0001) GaSe [Електронний ресурс] / А. П. Бахтінов, В. М. Водоп’янов, З. Д. Ковалюк, З. Р. Кудринський, В. В. Нетяга, В. В. Вишняк, В. Л. Карбівський, О. С. Литвин // Фізична інженерія поверхні. - 2013. - Т. 11, № 4. - С. 355-377. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Phip_2013_11_4_8 Попередній перегляд: Завантажити - 959.895 Kb Зміст випуску Цитування
16.	Катеринчук В. М. Топологія та фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe – n-InSe [Електронний ресурс] / В. М. Катеринчук, Б. В. Кушнір, З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк, І. Г. Ткачук, О. С. Литвин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17, № 4. - С. 507-510. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2016_17_4_11 Досліджено фотоелектричні властивості гетеропереходів p-GaTe - n-InSe, що сформовані за допомогою методу механічного контакту окисненої пластини GaTe з ван-дер-ваальсовою поверхнею InSe. За допомогою АСМ-зображень встановлено, що на гетеромежі p-GaTe - n-InSe присутній тонкий діелектричний шар власного оксиду Ga2O3. Побудовано енергетичну зонну діаграму гетеропереходу. Встановлено, що гетероперехід p-GaTe - n-InSe володіє фоточутливістю в діапазоні 0,74 - 1,0 мкм. Попередній перегляд: Завантажити - 1.034 Mb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
17.	Боледзюк В. Б. Вплив інтеркалювання нікелем на властивості шаруватих кристалів InSe [Електронний ресурс] / В. Б. Боледзюк, З. Д. Ковалюк, З. Р. Кудринський, Б. В. Кушнір, О. С. Литвин, А. Д. Шевченко // Фізична інженерія поверхні. - 2014. - Т. 12, № 2. - С. 184-189. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Phip_2014_12_2_7 Попередній перегляд: Завантажити - 180.784 Kb Зміст випуску Цитування

Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів

Пам`ятка користувача

Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського